Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 8. Om halvledare - Ledningsförmågans temperaturberoende
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
|
Fig. 806
a) Ström genom
halvledarmaterial
av N-typ byggs
upp huvudsakligen
av negativa ladd-
ningsbärare som
är i majoritet (ma-
joritetsbärare).
Dock uppkommer
p.g.a. elektroner-
nas värmerörelser
positiva laddnings-
bärare i mindre
antal (minoritets-
bärare.
b) Ström genom
halvledarmateria-
let av P-typ byggs
upp huvudsakli-
gen av positiva
laddningsbärare
(majoritetsbärare).
Dock uppträder p.
g.a. elektronernas
värmerörelser fria
elektroner (mino-
ritetsbärare).
(O) 2 O ot ÅL OTO Ål
+
INO OO GI Ölea Ö |&
dh Li +
yld 2 RNE ij Fo alol L
INO I OD E &Ö ÖO OM 8 i
-S (Cl I + d
Ifa OS Öl Öö &
- + H
dd dd Id & oo alo!
ordningar, som avkänner eller registrerar ledningsförmågan
hos ett halvledarmaterial, som utsättes för ljus etc.
I andra halvledarkomponenter, transistorer, tyristorer m.m.,
som utnyttjas inom elektroniken, ingår två eller flera om-
råden av omväxlande P-ledande och N-ledande halvledarma-
terial som bringas i direkt kontakt med varandra. Därvid
uppstår det i gränszonen mellan de olika halvledarmateria-
len s.k. spärrskikt. Dessa utnyttjas på olika sätt för styrning
och kontroll av ledningsförmågan i halvledarmaterialet.
VV
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
