Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 9. Halvledardioder - Kapacitansdioder
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
I
: Ua a
Aman
mom
g
TLIETLSLIETLSLTL 3 lr
I
S
[=]
d
storlek. Ju högre spärrspänning, ju bredare blir spärrskiktet.
Fig
Kapacitansen C; mellan P- och N-ledande materialet i en
halvledardiod kommer därför att vara spänningsberoende ef-
tersom ju avståndet mellan P- resp. N-ledande materialen
(som fungerar som ledande plattor i en kondensator) varierar
pF
Cj 100
t
|
80
60
A
40
SJ
20 Rea
0
0 10 20 30 40 50V
—UpD
86
Fig. 911
a) En kiseldiod för-
spänd i backrikt-
ningen uppvisar
en kapacitans Cj;
som bestäms av
spärrskiktets
bredd.
b) Genom att mins-
ka förspänningens
storlek minskas
spärrskiktets bredd
och därmed ökas
kapacitansen C;.
Fig. 912
Typisk kurva visan-
de spärrskiktskapa-
citansen C; hos ki-
seldiod som funktion
av spärrspänningens
storlek.
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
