Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 10. Transistorer - Stabiliseringskopplingar
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 1018
Olika kopplingar
med <motståndsnät
för stabilisering av
arbetspunkten = för
NPN-småsignaltran-
sistorer.
4) Om basförströms-
motståndet Ry, an-
slutes till kollek-
torn minskar bas-
förströmmen när
ökande kollektor-
ström ger ökande
spänningsfall över
kollektormotstån-
det Rc...
Ry achpp (UCE
— 0,5) / Ic
b) Kopplingen enligt
a) ger en viss mot-
koppling för sig-
nalfrekvensen som
skall — förstärkas.
Genom att dela
upp Ry i två mot-
stånd Rj, + Ry
och genom att av-
koppla samman-
bindningspunkten
mellan de båda
motstånden till
emittern med en
kondensator = eli-
mineras motkopp-
lingen. RyytRpo
beräknas som R,
i a).
c) Genom att sätta
in en spänningsde-
lare Ry1 + Rj9
över kollektorbat-
teriet Ecop kan
man ta ut en del-
Y
b)
spänning som via
ett tredje mot-
stånd Ry; påföres
basen på transis-
torn. Fördel: ing-
en <:motkoppling
via basförströms-
motståndet. Ersät-
tes Rp, med en
diod av samma typ
som ingår i
transistorns
bas-emitterdiod
erhålles delvis
kompensation för
temperaturdriften.
103
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
