Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 11. Om transistorkurvor - Temperaturberoendet
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 1106
Arbetslinjer inlagda i
Io-Uop-diagram för
transistor med kol-
lektormotstånd R.>
= 1 kohm före: ’
gånget av ett av-
kopplingsmotstånd
Ry = 1 kohm av-
kopplat till emitter
med en avkopplings-
kondensator, Ci
Fig. 1107
Vid höga kollektor-
spänningar Upcpupp-
står risk för genom-
brott i transistorn.
Genombrott inträf-
far tidigare ju större
basströmmen är.Man
bör hålla sig på be-
tryggande «avstånd
från genombrott-
spänningen BV cpo-
Ece=5V
mA
; 6
IBG
Ng 40uA
AE 30)A
3 VA |
N I
|
20JA
NN NN | JM
NS
Ret Re2=2k Ny IOMA
Ic =I2mA Of fa [NN
fe FN EcE=6V
GER
RA
| NG $
3 6V
> UcE
I
d IB= 30 uA
IB-=0 |
” i
BYCEO
sitt
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
