Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - Sidor ...
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
RADIOMOTTAGARE
Med hjälp av ekv. (4 b) beräknas för-
stärkningen, som blir
eooj
ligi-
f kpX s 200 300 400 500
m« 12,3 10,3 10,1 10,6
Oscillator- och blandat-steg
De vanligaste oscillatorkopplingarna ut-
föras med avstämd anodkrets eller med
avstämd gallerkrets. Fig. 2X7 och 2X8 visa
principiella kopplingsscheman.
Kopplingen med avstämd gallerkrets kan
lättare bringas att svänga med konstant
amplitud, då frekvensen varieras, under
det att anordningen med avstämd anod-
krets i regel giver upphov till lägre över-
tonshalt, större svängningsamplitud och
är mera oberoende av anodspänningsva-
riationer. För att erhålla mera konstant
amplitud hos kopplingen med avstämd anod
kan man inkoppla ett motstånd R parallellt
med resonanskretsen samt vidare inkoppla
seriekondensatorn Cs på sådant sätt, att
den induktiva kopplingen kompletteras
med en kapacitiv. Det fullständiga schemat
visas i fig. 2X9.
För val av lämpliga värden av RY, R,
C» och C» hänvisas till rörfabrikanternas
rekommendationer-. seriekondensatorns Cs
uppgift är att åvägabringa följsamhet mel-
lan oscillatorkretsen och antenn- resp. hög-
frekvenskretsar. Vid exakt följsamhet skall
gälla f»=f»-I-f,» där f»=oscillatorfrekvens,
f»=frekvensen hos den inkommande sig-
nalen samt f,,.«=mellanfrekvensen.
Fig. 2X10 visar en normal följsamhets-
kurva. som synes kan man uppnå exakt
överensstämmelse i tre punkter, de båda
Fig. 2-7. Principschema för oscillator-krets
med avstämd anodkrets-
636
k
Fig. 2X8. Principschema för oscillatorkrets
med avstämd gallerkrets
trimfrekvenserna f« och f« samt vid en
frekvens mellan dessa. För beräkning av
lämpliga värden av C» och C» kan dia-
grammet enligt fig. ZXll användas.
fl och f2 betyda lägsta resp. högsta sig-
nalfrekvens inom frekvensbandet.
C» betyder vridkondensatorns kapaci-
tansvariation, då frekvensen varieras från
fl till fy
Exempel: Frekvensområdet 200—500
kp-s, mellanfrekvens 114 kst, C,.=380 pF.
f f-) C·
« =0,23 —T-=2,5 ——«=1.8
f2 f1
C» innebär totala nollkapacitansen, dvs.
summan av vridkondensatorns minimika-
pacitans, trimkondensatorns kapacitans och
kapacitansen i ledningar etc.
Minsta kapacitansen från spolen sett är
C,,Cs 76s680
cpf Cs =—7—5-6 - =68 pF. Vid ifrågavaran-
de inställning av vridkondensatorn skall
oscillatorfrekvensen vara 500 4114 = 614
kst. Ur resonansvillkoret kan man nu be-
räkna I-1
cs:68-o pi-
L ——————1-———
I- 4.-:2 6142-106-68-10-12-
:10-3 H:1 mH
Fig. 2X9. Fullständigt kopplingsschema för
oscillator med avstämd anodkrets-
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
