Full resolution (TIFF) - On this page / på denna sida - Glödelektrisk emission från med främmande substanser beklädda metallytor av dr. G. Siljeholm
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
sammanställning av emissionsströmmens temperaturberoende (l I T) vid några olika kombinationer av tunna skikt på volframytor. Såsom framgår av figuren är förhållandet mellan emissionsströmmens styrka vid 1,600° K för torium-volf ram (Th-W), ren volfram (W) och syre-volfram (O-W) ungefär 100 000 : : 1 : 0.00001. Vid c:a 1,800° K avviker Th-W kurvan från sitt mer rätlinjiga förlopp på grund av den tilltagande förångningen av det adsorberade skiktet för att vid c:a 2,400° K nå kurvan för den rena volframemissionen. Vid O-W katoden sker något liknande, beroende på att syreskiktet avdunstar från trådytan vid högre temperaturer, varigenom emissionen höjes till den för ren volfram karakteristiska storleken.
En jämförelse av emissionsströmmarna från cesium-volfram (Cs-W) och cesium-syre-volfram (Cs-O-W) vid en katodtemperatur av c:a 840° K och en temperatur hos urladdningskärlet på 20° C ger vid handen, att cesium-syre-volframkatoden lämnar en nästan 100,000 gånger kraftigare ström än den enkla cesium-volfram-katoden.
Orsaken till att en oxiderad volframyta så mycket starkare än en ren yta binder de adsorberade cesiumatomerna torde vara att söka i den oxiderade ytans elektriska egenskaper. Enligt Kingdon19 äger en sådan oxiderad yta ett elektronfrigöringsarbete på 9.2 Volt-e, alltså ungefär dubbelt så stort som en ren volframytas. Genom det adsorberade cesiumskiktet nedbringas såsom Kingdon visat frigöringsarbetet vid monoatomär beläggning till c:a
0.7 Volt-e.
Integrationskonstanten A0 i Eichardsons ekvation antager enligt samma forskare därvid värdet
0.001 Amp/cm2 grad2.
Även om den starkare adsorptionen av cesium på en oxiderad volframyta alltså blir begriplig genom den senares höga elektronfrigöringsarbete, återstår dock att förklara huru det resulterande frigöringsarbetet kan bli lägre än vid en cesium-volframkatod, ty vid den senare ha cesiumjonerna endast att i möjligaste
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
