Full resolution (TIFF) - On this page / på denna sida - Fasta lösningar med variabelt atomtal i elementarcellen av docent Gunnar Hägg
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
i huvudsak motsvara de klassiska föreställningarna om en
elektrongas. Wagner kallär denna ledningsart för
elektronöverskottsledning.
Den andra arten av elektronhalvledning tänker man sig betingad
av elektrondefekter. Om här och var atomer i gittret sakna en
eller flera elektroner, så finnes möjlighet att elektroner från
grannatomerna utfylla defektställena. Härigenom uppkomma nya
defektställen, som i sin tur fyllas av elektroner från andra atomer.
Denna elektronförskjutning kan medföra en elektricitetstransport
genom gittret, som Wagner kallar elektrondefektledning.
Elektronerna röra sig mot den positiva strömriktningen och
defektställena alltså med denna. Heisenberg (33) har påpekat, att
denna defektledning därigenom kommer att förhålla sig som
om den förmedlades av positiva elektroner. Han har också visat,
att hall-effekten vid defektledning har omvänt tecken mot vid
överskottsledning, och därigenom angivit en metod för
bestämning av ledningens art.
Wagner diskuterar hur elektronöverskott eller elektrondefekter
kunna uppkomma om sammansättningen avviker från den
stökiometriska. Om man utgår från ett polärt byggt gitter av
sammansättningen MA så bör ett överskott av M eller A innebära en
ändring av elementarcellens atomantal. Substitution är nämligen
på grund av den därav orsakade ojämna laddningsfördelningen
mindre sannolik.
Ett överskott av elektropositiv komponent M, uppfattas av
Wagner som ett överskott av kationer + kvasifria elektroner.
Gittrets elektroneutralitet bibehålles härigenom.
Kationöverskottet kan antingen uppstå genom inlagring av kationer i
gittermellanrummen eller genom hålrum i aniongittret. Det bör här
tilläggas att den senare möjligheten är mindre sannolik med
hänsyn till att vid en mellanrumslösning anionerna i allmänhet
konstituera det stabila gitterskelettet.
Ett överskott av elektronegativ komponent A, kan på analogt
sätt uppfattas som ett överskott av anioner +
elektrondefektställen. Anionöverskottet kan antingen uppnås genom inlagring
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
