Full resolution (TIFF) - On this page / på denna sida - Fasta lösningar med variabelt atomtal i elementarcellen av docent Gunnar Hägg
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
samtidigt det högsta syretrycket inom resp. homogenitetsområdén.
Homogenitetsområden äro alltså utbredda åt metallsidan, d. v. s.
oxiderna kunna enligt Wagners uppfattning innehålla överskott
av kationer + kvasifria elektroner. Kationöverskottet antages
uppstå genom inlagring av kationer i mellanrummen av
ZnO-resp. CdO-gittret. Ledningsförmågemätningarna tillåta i dessa
fall ingen bestämning av homogenitetsområdets utsträckning,
vilken emellertid måste vara mycket liten.
log K
Fig. 6. Ledningsförmågeisotermer för Cu20. Mätning efter tryckstegring: Q.
Mätning efter tryckminskning: #. Enligt (35).
Hos kopparoxidul växer i stället elektronledningsförmågan med
syretrycket (35). Mätningsresultaten återges i fig. 6. I ett
bilogaritmiskt koordinatsystem ligga alltså de mätta punkterna på
räta linjer, vilkas lutning är oberoende av temperaturen.
Relationen mellan spec. elektriska ledningsförmågan % och
syrepartialtrycket <pÖ2 motsvarar alltså det empiriska uttrycket
H = <pV’1. konst. (n = 7).
Spec. elektriska ledningsförmågan k hänför sig nästan
uteslutande till elektronledningen. Mätningar av kopparionernas
överföringstal vid 1,000° gav nämligen ett värde av endast 4 • 10~4.
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
