Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - N:r 4. April - Sidor ...
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
82
Fig. 8. För att kunna studera hur rg och Cg variera, måste man
känna till sambandet mellan vinklarna <p och Q, vilket framgår av
diagrammen ovan.
stor galler-anodkapacitet, stor förstärkning i steget och
resistiv belastning. Studera vi exempelvis ett motstånds-
kopplat steg, fig. 9 a, andra röret, med 25 ggrs
förstärk-ff ff
ning, Cgk = 5 pF, Cga=4 pF, och antaga vi eos 0=0,9,
få vi enligt ekv. IG:
Cg=5+4+4-25-0,9=99 pF.
Vi ha då tänkt oss att steget arbetar vid relativt hög
tonfrekvens, där eos 9 ej längre kan anses lika med 1.
Föregås nu detta motståndssteg av ett annat motståndssteg, så
i
shuntas dettas anodmotstånd Ra icke endast av det
statiska kapacitetsvärdet 9 pF utan dessutom av
tillskotts-kapaciteten 90 pF. (Dessutom shuntas det givetvis av
diverse relativt små, huvudsakligen första steget
tillhörande kapaciteter.) Följden av dessa shuntande
kapaciteter blir ett relativt lågt värde på övre gränsfrekvensen
f2- Ekvivalentschemat för höga frekvenser, gällande för
första steget, visas i fig. 9 b. Den resulterade kapaciteten
C sammansättes här av första rörets kapacitet anod till
I ff
»jord», C ak och följande rörs ingångskapacitet Cg.
Sambandet mellan fallet hos frekvenskurvan och övre
gränsfrekvensen f2 framgår av fig. 9 c. Här har övre
gränsfrekvensen antagits svara mot en sänkning hos
utgångsspänningen av 3 db under nivån för medelhöga frekven-
POPULÄR RADIO 82
ser. På analogt sätt kan undre gränsfrekvensen fi
definieras. Denna frekvens bestämmes bland annat av värdena
på Ck och Rg, men kunna vi i detta sammanhang ej
närmare ingå härpå.
8. Förhållanden vid stämd anodkrets.
Då det ur vissa synpunkter är fördelaktigt att arbeta
med en rent resistiv anodkrets, kan man fråga sig, hur
en sådan realiseras. Enda sättet att få kretsen rent resistiv
är att arbeta med stämd anodkrets, varvid samtliga
shunt-kapaciteter inkluderas i stämkapaciteten. Denna
anordning kommer så gott som uteslutande till användning vid
högfrekvensförstärkning.
Vid resonans är således galleringången helt fri från
det shuntande motståndet, men så snart
resonanstillståndet frångås, kommer ett positivt eller ett negativt
motstånd in, medförande dämpning eller avdämpning. Det
senare blir enligt föregående fallet, då anodkretsen har
positiv fas vinkel. Tänkes högfrekvenssteget arbeta med
en viss påtryckt frekvens, erhålles alltså avdämpning när
stämkondensatorn minskas, d. v. s. när inställning sker
till en lägre våglängd.
Tänka vi oss nu att vårt högfrekvenssteg ingår i en
mottagare, som arbetar på en svag station och att
högfrekvenssteget har galler- och anodkretsarna i resonans,
så har tydligen förstärkningen F (enligt tidigare
definition) sitt största värde. En sidostämning åt endera hållet
medför enligt ekv. 17 en sänkning av stegets förstärkning.
Att förlusten i ljudstyrka i en till -mottagaren ansluten
högtalare blir stor vid sidostämning genom ökning av
stämkondensatorn följer därav, att till minskningen i
förstärkning kommer den extra dämpningen på
gallerkretsen. Däremot blir förhållandet ett helt annat vid
minskning av stämkondensatorn, ty då kompenseras
minskningen i förstärkning genom avdämpningen på
gallersidan, varför den totala förstärkningen växer och kanske
Fig. 9. Den övre gränsfrekvensens fi värde beror av resulterande shuntkapaciteten C över kombinationsmotståndet av R a och Rg.
Får C ett stort värde på grund av att ett följande rör har stor ingångskapacitet Cg orsakad genom inre återkoppling, kan
motståndssteget ej användas i en förstärkare för hög fidelitet med mindre än att R a gives ett synnerligen lågt värde. Förstärkningen
i steget blir då liten.
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
