Note: This work was first published in 1971, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 17. Bygg in förstärkning i lokalmottagaren
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
1 st. överstycke 5X 20X10 cm
2 st. fogdon
2 st. rattar
2 m kopplingstråd, plastisol. förtent 0,5 mm
2 dm förtent koppartråd blank 0,7 mm
13 m lackerad koppartråd 0,20 mm
1 st. spolstomme 15 mm diam. 55 mm lång
Hörtelefon, 2 kohm
2 st. ficklampsbatterier, 4,5V
6 st. bananhylsor, isol. montage
1 st. skruv M3 X 30 med mutter och bricka
4 st. skruvar M3X6 med mutter
8 st. skruvar M3 X10 med mutter
4 st. plåtskruvar
4 st. gummifötter
impedanspassning (se kap. 12) mellan den avstämda kretsen och
transistorn utan kan i stället transformera upp spänningen från an-
tennen innan den påförs den avstämda kretsen (inte nedtransforme-
ring till en tredjedel som vid vår 1 kap. 13 beskrivna lokalmottagare).
På det sättet får vi redan på ingången av HF-steget en signalspän-
ning som är 9 ggr högre än den vi hade till förfogande i detektor-
mottagaren.
Verkningssättet för ett förstärkarsteg med fälteffekttransistor har
behandlats i kap. 15, och här skall därför endast ges några kommen-
tarer beträffande transistorns arbetspunkt.
Emittermotståndet R1 på 1 kohm är insatt för att vid I mA kol-
lektorström åstadkomma ca 1 V negativ förspänning på styret. För att
förhindra att den signalspänning som uppträder över emittermot-
ståndet (den av transistorn förstärkta signalströmmen passerar ju
emittermotståndet) skall motverka den påförda ingångsspänningen
(genom s. k. motkoppling) överkopplas emittermotståndet med en
kondensator C2 som har lågohmig reaktans vid radiofrekvens. 10 nF
ger vid 300 kHz ca 50 ohms reaktans, vilket effektivt håller nere den
motkopplade spänningen.
Kollektormotståndet R2 är valt så att kollektorviloströmmen skall
ge ett spänningsfall över detta som blir — spänningen mellan kollektor
2217)
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
