Note: This work was first published in 1971, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 4. Bygg en mottagare för 3,5—4,5 MHz
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Blandartransistorn T3
Det emittermotstånd R4 som blandartransistorn har gemensamt med
bufferttransistorn orsakar att det uppstår en viss motkoppling som
ganska avsevärt minskar förstärkningen i blandarsteget. Över emitter-
motståndet R4 är därför kopplat en serieresonanskrets bestående av
spolen L12 i serie med en kondensator C6. Denna krets avstäms till
mellanfrekvensen 500 kHz. Serieresonanskretsen L12 -+— C6 blir myc-
ket lågohmig vid resonansfrekvensen! och därmed minskar motkopp-
lingen i blandarsteget vid just denna frekvens. Vid alla andra fre-
kvenser är serieresonanskretsen högohmig och motkopplingen i blan-
darsteget blir då stor genom emittermotståndet R4. Det betyder att
man får en hög förstärkning i blandarsteget endast vid 500 kHz. Sig-
nal- och lokaloscillatorspänningen som påförs blandarsteget förstärks
alltså inte utan enbart skillnadsfrekvensen, som ju är 500 kHz.
Denna selektiva förstärkning av 500 kHz-signalen accentueras yt-
terligare av att en parallellresonanskrets L7 – C10, likaledes av-
stämd till mellanfrekvensen 500 kHz, är inkopplad i blandartransis-
torns kollektorkrets. Spänningsförstärkningen i ett transistorförstärkar-
steg är alltid större ju högohmigare kollektormotståndet är. Tack vare
att parallellresonanskretsen är högohmig endast vid sin resonansfre-
kvens 500 kHz blir det huvudsakligen signaler med denna frekvens
som förstärks.
MF-delen
I den i blandartransistorns kollektorkrets, L7 + C10, erhållna MF-
signalen med frekvensen 500 kHz påförs via en ”kopplingsspole” L8
basen på en transistor T4. I kollektorkretsen för denna transistor är
via en kopplingsspole L10 ansluten ett till mellanfrekvensen 500 kHz
avstämt bandfilter bestående av två avstämda kretsar L9 + C17 resp.
L11 + C19 med inbördes koppling via en kondensator C18. Från
dessa två kretsar, som ger en relativt hög grad av selektivitet, påförs
signalen en integrerad krets, ”IC”, i vilken MF-signalen förstärks ca
1 Se Bygg och lär, Radioteknik 1, kap. 10.
40
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
