Note: This work was first published in 1971, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 17. Konsten att kurera självsvängning
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Farlig kollektor-bas kapacitans
Man har f. ö. i ett förstärkande element av typen transistor inbyggd
en farlig kapacitans mellan kollektor och DAS, Cen IDE är ju en
kapacitans som ligger direkt mellan transistorns ingångs och utgångs-
kretsar. Se fig, 17.5.
I en HF-transistor är denna kapacitans av storleksordningen några
pF och därmed är självsvängningsrisken överhängande redan vid
relativt låg frekvens. Är t. ex. transistorns ingångsimpedans Z;, — 1
kohm uppstår — om transistorn har en spänningsförstärkning av ca
100 ggr — risk för självsvängning vid en frekvens vid vilken reaktan-
sen för 3 pE är 100 kolim, dvs. vid. en frekycns omkring 500 kHz
= Nn frekvens som svarar mot mellanfrekyenser in de flesta radio-
mottagare.
Vid lägre frekvenser spelar denna återverkningskapacitans inte så
stor roll, men så snart man arbetar med avstämda kretsar vid högre
frekvens medför denna kapacitans en påtaglig risk för självsväng-
ning. Man brukar kringgå problemet genom att se till att man ge-
nom impedanstransformering får mycket lågohmiga kretsar mellan
bas och emitter (Z,/n” i fig. 17.6 a). Därigenom kortsluts ju den
via Cy återmatade spänningen mer eller mindre. Man kan också
se till att impedansen i transistorns kollektorkrets (Zon? 1 fig. 17.6 b)
Idi HYSS MN Gi förstärkarsteg innebär alltid transistorns egen kapacitans Ccp
mellan kollektor och bas viss risk för självsvängning, i varje fall vid högre frekven-
ser, då reaktansen för Co blir lågohmig så att den från kollektor till bas åter-
matade spänningen antar ”farliga” värden.
252
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
