Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - V. Mottagarens konstruktion och verkningssätt - B. Högfrekvensförstärkning - 83. Beräkning av anod-, skärmgaller- och katodmotstånd - C. Lågfrekvensförstärkning - 84. Motståndskoppling
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Mottagarens konstruktion och verkningssätt
Detta motstånd måste dimensioneras för en
beläst-mng av: p = 6.0,0056 = o,336 watt.
Ett halvwattsmotstånd på 1 070 ohm bör användas.
För att förhindra att anodväxelspänningen
förorsakar ett spänningsfall över katodmotståndet, inkopplas
över Rk ett katodblock Ck av lämplig storlek. De båda
avkopplingskondensatorerna Ca och Cs tjänstgöra som
passagékondensatorer för högfrekvensen och förhindra
därmed att högfrekvensförstärkaren råkar i
självsvängning. Saknas någon av dessa kondensatorer, uppkomma
visslingar och tjut (instabilitet). I högfrekvenssteg ha
Ck, Ca och Cs vanligtvis en storlek av 0,1 piF.
C. LÄGFREKVENSFÖRSTÄRKNING.
De lågfrekvenssignaler som erhållas från detektorn
äro i allmänhet för svaga för att direkt kunna driva
högtalaren. De måste därför förstärkas i ett eller flera
lågfrekvenssteg.
Vid lågfrekvensförstärkning skiljer man mellan
spän-ningsförstärkande styrsteg och effektförstärkande
slutsteg.
84. Motståndskoppling.
Den vanligaste kopplingen är motståndskopplingen,
som visas i fig. 79. De tonfrekvensspänningar, som
uppkomma över anodmotståndet Ra, påtryckas V2:s
galler via en kopplingskondensator Cg av
storleksordningen 5 000—50 000 pF. Gallermotståndet Rg måste
vara så stort att tonfrekvensimpulserna på rörets
galler ej dämpas i nämnvärd grad. Göres Rg = 10 • Ra
eller max 1 megohm, erhålles ett lämpligt värde.
153
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
