Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - H. 31. 1 september 1951 - Transistorn — kristalldetektorns redivivus, av Dick Lundqvist, Rolf Gezelius och Torkel Wallmark
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
’64
TEKNISK TIDSKRIFT
Fig. 11.
A-transistor.
är i många fall steget ännu stort mellan teorierna
om halvledarmaterialen och fabrikationen av
tekniskt användbara halvledarelement.
Utföringsformerna hos dioderna är ganska
välkända och avviker i princip föga från den i fig. 8
skisserade. I vissa fall har man ersatt keramiken
med glas och därigenom kunnat något förminska
dioden. Så är t.ex. fallet med den typ som
utvecklats i Sverige och av vilken tillverkning snart
skall igångsättas.
Fig. 10 visar exempel på statiska karakteristiker
för de vanligaste typerna av kommersiella
halv-ledardioder. Dessa dioder har skilda
användningsområden; dock är gränsen mellan de två
slagen av germaniumdioder numera inte allför
utpräglad. Soin jämförelse är även kurvan för
en vanlig vakuumdiod {6X5) inlagd.
Halvledartriodens utföringsformer
Halvledartrioden är kanske mest känd under
benämningen transistor, som dock egentligen är
ett varumärke.
Om man på en diod med halvledarplatta av
n-germanium sätter in ännu en kontaktspets har
man i stort sett en A-transistor8 (fig. 6, 11).
Avståndet mellan trådarna vid kristallytan skall
vara av storleksordningen 50 fi. Denna siffra
torde få anses som en kompromiss mellan dels en
önskan att hålla minsta avstånd och därmed
kortaste löpsträcka för hålen och dels hänsyn till
fältpåkänningen på halvledaren. Man rör sig här
med värden på ca 1 000 V/mm, en ganska hög
siffra för denna materialgrupp.
Denna halvledartriod kan nu användas som
förstärkare om den kopplas enligt fig. 6.
Verkningssättet har förut förklarats. Här skall blott
tillläggas några ungefärliga tekniska arbetsdata.
A-transistorn och de flesta hittills utvecklade
halvledartrioderna arbetar med en
ingångsimpedans av storleksordningen 500 ohm och en
belastningsimpedans av storleksordningen 20 000
ohm. Injektor spänningen är ca 1 V och
kollek-torspänningen ca — 40 V. Strömförstärkningen
håller sig hos kommersiella typer vid 2,
motsvarande en effektförstärkning av omkring 20 dB.
x\tt inverkan mellan injektor och kollektor inte
är bunden till själva ytskiktet utan går på djupet
av halvledaren framgår av koaxialtransistorn10
(fig. 12). Den består av en i arbetspunkten ca
50 fi tjock germaniumplatta med två motsatta
kontaktspetsar och har i stort sett samma
egenskaper och data som A-transistorn. Den
erbjuder några fördelar, bland annat bättre skärmning
mellan in- och utgångskretsarna.
Ur koaxialtransistorn har utvecklats
fototransistorn11, där man har bytt ut injektorn mot en
ljusstråle. Genom ljusstrålen utlöses elektroner eller
hål, som ökar ledningsförmågan i spärrskiktet
kring kollektorn. Germaniumplattan är även här
mycket tunn. Anordningen är att anse som ett
fotomotstånd. Känsligheten uppges vara 70 n A/
niLm. Normala data för kollektorkretsen är — 40
V och 3 mA. Fototransistorn kan arbeta med
ljusfrekvenser på 200 kp/s utan att visa
tröghet. Den är speciellt infrarödkänslig och har
sitt känslighetsmaximum vid en våglängd av
1,6 ß. Det uppges att man direkt kan styra ett
känsligt relä med kollektor strömmen.
En annan intressant utföringsform,
trådtransis-torn12, fig. 13, består av en
enkristallgermanium-stav som är spärrskiktsfritt lödd i ändarna.
Utförandet är av stort fysikaliskt intresse. Om man
nämligen kopplar kollektorkretsen till en
oscillograf kan man få intressanta upplysningar om
halvledartriodens verkningssätt och t.ex.
bestämma löptiden för hål, som man injicerar med
injektorn. Tekniskt sett kan trådtransistorn vara
en utväg att minska bruset, vilket är
halvledartriodens stora nackdel.
Om man i en A-transistor sätter in ytterligare
en kontaktspets får man en halvlcdartctrod13 (fig.
14) rned två injektorer och en kollektor. De tre
Fig. 12. Koaxialtransistor.
Fig. 13. Trådtransistor.
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
