Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - H. 44. 1 december 1953 - Transistorn, av Torkel Wallmark
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
17 november 1953
937
utbyte av ett elektronrör mot en transistor icke
kan ske med mindre än att tillhörande kretsar
radikalt omkonstrueras. Däremot syns en ny
klass av transistorer, unipolartransistorerna, av
vilka här må nämnas analogtransistorn, ha
sådana egenskaper att ett direkt utbyte kan ske.
Analogtransistorn har fått sitt namn av att den
utgör en direkt analogi till elektronröret. Dess
princip framgår av fig. 5. Grundmaterialet
utgörs här av ren halvledare, t.ex. germanium, så
vitt möjligt utan stör ställen, på vilken
anbringats två zoner med n-ledande och en zon med
p-ledande germanium (eller vice versa). Den ena
av de n-ledande zonerna tjänstgör som katod och
lägges på nollpotential, den andra som anod på
positiv potential, medan den p-ledande zonen
tjänstgör som galler på något negativ potential.
Från katoden injiceras elektroner i det rena
ger-maniet och dessa attraheras till anoden genom
en zon mitt emellan gallerzonerna. Gallret självt
drar ingen ström men influerar genom sin
potential det elektriska fält som drar
anodströmmen, allt i direkt analogi med motsvarande
förhållanden i ett elektronrör. Konstruktionen är
ingalunda ny i princip utan har föresvävat
många tekniker tidigare. Att den kunnat
förverkligas först nu, är ett resultat av de ökade
kunskaper om halvledare som följt uppfinningen
av transistorn i spåren. Det torde dock dröja ett
eller annat år, innan kommersiella transistorer
enligt denna princip blir tillgängliga.
Fototransistorn
n-p-övergångar har också starka fotoelektriska
egenskaper, fig. 6. När ljus faller på eller myc-
Fig. 1.
Ström-fördelning i
spetstransistor
Fig. 6. Fotokänslighet hos
n-p-övergång, nedtill
fotodiod och fototransistor.
Fig. 5.
Analogtransistor.
ket nära övergångszonen mellan n- och p-ledande
halvledare med tillräckligt stor energi, frigörs
elektroner och hål som under inverkan av
spärrskiktets potentialfördelning snabbt vandrar och
därvid ger ström. Den uttagbara effekten ökas
om en spänning i backriktningen påläggs, varvid
potentialfördelningen enligt fig. 6 blir ännu mer
utpräglad. Då praktiskt taget varje foton, som
absorberas, ger ett elektron-hålpar, är
verkningsgraden nära 100 %. Den spektrala känsligheten
är stor även i det infraröda området varför den
lämpar sig för användning tillsammans med
glödlampsljus. En ytterligare höjning av
känsligheten kan uppnås genom kombination med
principen för spetstransistorn, varvid ljuset
tjänstgör som injektor. Härvid kan man dra
nytta av spetstransistorns strömförstärkning,
varigenom känsligheten höjs o; gånger. Denna
konstruktion går under namnet fototransistor.
Tillverkning av transistorer
Spetstransistorn, som ju från början härletts ur
kristalldioden, tillverkas också med väsentligen
diodteknik. Man utgår från ett stycke
germanium av en kubikmillimeters storlek, n-ledande,
och med ett specifikt motstånd av 5—10 ohmcm,
som lödes på ett metallstift och slipas, poleras
och etsas. Mot gerinaniet ansätts två fina
metalltrådsspetsar på ett inbördes avstånd av
0,1—-0,05 mm och fastsvetsas med en strömstöt.
Enheten kapslas sedan i ett hölje av t.ex.
plastmaterial (fig. 7 a). Väsentligt för stabila data är att
kristallytan skyddas mot fukt.
För skikttransistorn (fig. 7 b och c) finns två
principiellt olika tillverkningssätt. I bägge
fallen måste man ställa höga krav på att germaniet
är fritt från kristallfel. Det noggrannaste men
samtidigt besvärligaste sättet är att dra en en-
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
