Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1957, H. 25 - Transistorn som omkopplare i pulskretsar, av Bengt Gunnar Magnusson
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Med hänsyn till arbetssätt brukar transistorns
karakteristiska kurvor indelas i fyra regioner
nämligen :
Strömmättnadsregionen där båda dioderna
arbetar i spärriktning dvs. ‡E < 0, < 0.
Normala aktiva regionen. Här arbetar
emitter-dioden i pass- och kollektordioden i
spärrikt-ningen, dvs. <PE >0, < 0.
Spänningsmättnadsregionen där båda
dioderna arbetar i passriktning, dvs. $e> 0, $k > 0.
Reverserade aktiva regionen. Här arbetar
emitterdioden i spärr- och kollektordioden i
passriktningen, dvs. $E < 0, ‡k > 0.
Då i spänningsmättnadsregionen <PK och $E
motverkar varandra i
kollektor-emitterspän-ningsfallet är gemensamemitterkoppling (GE)
lämpligast för transistorn som
omkopplarele-ment. Transistorn i GE-koppling kan jämföras
med ett relä, fig. 3. Man önskar hos ett sådant
element en liten läckström genom den öppna
kontakten och en liten bottenspänning över
den slutna vilket även kan uppnås, fig. 4.
Låt oss med utgångspunkt från ekv. (1) och
dubbeldiodschemat, fig. 2, studera en
typtransistor 2N114, tabell 1.
Med beteckningar enligt fig. 3 erhålles enligt
ekv. (1) för läckströmmarna hos den öppna
transistorn inom strömmättnadsregionen och
början av normala aktivregionen:
Ib
i ko
1 — AjvAR
[l-^B
£>n
1 ko
B v
1 — .4
N
= 50 ± 5 vid IE = 1 — 250 mA,
-4A- =
ukb = 0 V
= 9 ± 1 vid IE = 1 — 250 mA,
B» =
Ukb = 0 V
emitterresistansen rE = 0,20 ohm
kollektorresistansen rjc = 0,17 ohm
basresistansen rB — 30 ohm vid 22°C
O](2 a)
Här är IB basströmmen, BN = AN/1 — AN
strömförstärkningen i GE-koppling och
basspänningen UBE. Vidare har — EK antagits vara
så stor att enEK är mycket mindre än 1 och
spänningsfallen över rE, rK och rB har försummats.
Motsvarande samband kan också framställas
med kollektorspänningen UKE som parameter,
fig. 5. Som synes av kurvorna ökar
läckströmmarna med ökande negativ kollektorspänning.
Vid höga spänningar kan tre fenomen inträffa
som ökar strömmarna:
Lavin-effekten, som beror på en lavinartad
elektron-hål multiplikation i
kollektorspärr-skiktet.
Zener-effekten, som inträffar då fältstyrkan
i spärrskiktet blir så stor att elektroner slits
ur valensbandet.
Tabell 1. Typtransistorns statiska parametrar
Iko — 0,7 liA vid 22°C och spänningen kollektor—
bas UKB = — 0,5 V
Genomslag, som inträffar då spärrskiktet
brett ut sig över hela basvidden.
Inget av dessa fenomen kan emellertid
fördärva transistorn annat än om den
förlust-effekt som är en följd av fenomenen värmer
upp transistorn till skadlig temperatur.
Vill man strypa transistorn effektivt bör
basen påläggas en positiv spänning om minst ca
0,1 V. Den asymptotiskt erhållna läckströmmen
Ikoc då Ube växer till mycket höga värden är:
1 -An
Fig. 4.
Kollek-torkurvskciran
IK=f(UKE)
mecl
basströmmen Ib som
parameter för
en typtransistor.
iroo = iko
<Iko
1 — ANAR
Motsvarande basläckström är av ungefär
samma storlek.
Jk J*
Fig. 5. Bas- och kollektor strömmar, IB och Ik> bos
den frånslagna typtransistorn som funktion av
bas-och emitt er spänningen UBEför olika värden på
kol-lektor-emitterspänningen Uke^ mättemperatur 22°C.
572 TEKNISK TIOSKRIFT 1957
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
