Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1957, H. 43 - Andras erfarenheter - Värmetåliga bromsbelägg? av EBr - Finmalning av kol med radioaktiv strålning, av SHl - Icke-metalliska tillsatsers inverkan på platinas hållfasthet i hög temperatur, av J Murkes - Högren kisel till transistorer, av SHl
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
tas, vilket icke är en så dålig benämning på denna
ännu ej fullt klarlagda verkan.
Enligt en amerikansk undersökningar har det visat
sig (tabell 1) att de förbättrade termiska
egenskaperna vid användning av sintrade belägg i
bilbromsar är fördelaktiga endast under ett par eller några
bromsningar till stillastående. Därefter är de icke
märkbart överlägsna vävbelägg av mera
konventionell typ. Vid dessa försök användes ordinära
gjutjärnstrummor. Av temperaturerna att döma blir
bromsmekanismen även vid sintrade belägg
mättad med värme tämligen hastigt (H M T Harris i
SAE Transactions 165 (1957 s. 207)). EBr
Finmalning av kol med radioaktiv strålning
Kolpulver med 75 ^ kornstorlek kan "malas" ned
till 1 u eller mindre med y-strålning från
reaktoravfall. En sådan finfördelning av kolet skulle
möjliggöra inblandning av billigt kol i dieselolja. Man
har genom prov med en 5 hk dieselmotor visat att
5 °/o finfördelat kol kan blandas in i oljan utan
olägenhet. Hur kolet bestrålas och hur det
disper-geras i oljan har ännu inte meddelats (Chemical
Engineering juni 1957 s. 142). SHl
lcke-metalliska tillsatsers inverkan på platinas
hållfasthet i hög temperatur
Då platinaföremål användes i olika sammanhang vid
hög temperatur, är det av intresse att kunna
förbättra platinas hållfasthet som då normalt är ganska
låg. Detta kan åstadkommas genom legering med
ämnen som har en mycket låg löslighet i platina och
kan fördelas i fina partiklar i grundmaterialet, i
dettas korn och vid korngränserna. Dylika tillsatser
utgöres framför allt av högsmältande oxider av
metaller såsom Al, Ba, Be och Zr.
För erhållande av platina med oxidtillsats utgår
man från ammoniumkloroplatinat som behandlas
med vattenlösningar av A1(N03)3, Ba(N03)2, Be(N03)2
eller ZrO(NO s)2. Efter torkning och glödgning
erhålles platinasvamp innehållande jämnt fördelade
oxider (A1203 ,BaO, BeO eller Zr02). Av denna
produkt framställes vidare sintrad platina. Oxidhalten
görs 0,05—0,5 °/o.
En undersökning av mekaniska egenskaper hos
platinasinter visade att samtliga tillsatser ökar
platinas brottgräns vid 1 000—1 200°C. Största verkan
har 0,05 °/o BaO som ökar brottgränsen 4,3 gånger
utan att försämra platinas plastiska egenskaper och
korrosionsbeständighet. Oxidtillsatsen förfinar
platinas struktur och höjer dess
rekristallisationstem-peratur till 550—600°C (J F Beljaev i Cvetnye
Metally 1957 h. 6 s. 57—61). J Alurkes
Högren kisel till transistorer
Till halvledarprodukter, t.ex. transistorer, kommer
man enligt uppfattningen i USA att använda ren
kisel i snabbt växande utsträckning under de
närmaste fem åren. Förbrukningen av högren kisel var
4,5 t 1956 och väntas bli ca 45 t 1961. Man tror
nämligen att kisel skall slå ut germanium i många
fall. Denna uppfattning grundas på den rikliga
tillgången på kisel i jordskorpan och på
kiselhalvleda-res stabilitet vid upp till 175°C, medan
germanium-halvledare inte tål mer än 85°C.
Produkter av olika stor renhetsgrad är tillgängliga
i handeln. Ett företag offererar t.ex. en kvalitet för
transistorer, som innehåller högst 3 delar bor på
10®, en annan, som nu används i största
utsträckning för transistorer, med högst 6 delar bor på 109,
en tredje, innehållande högst 11 delar bor på 10°
och avsedd för användning vid låg spänning, samt
en för solbatterier (Tekn. T. 1954 s. 734). Ett annat
företag gör en kvalitet för forskningsändamål med
en total föroreningshalt understigande 1 del på 109,
en kvalitet för transistorer och en lämplig för små
signaltransistorer, lågspänningslikriktare, dioder och
solbatterier.
Bor är den skadligaste föroreningen vid kiselns
användning inom elektroniken och är dessutom
relativt svår att avlägsna. Ju lägre borhalten är, desto
effektivare blir kiseln vid högre spänning. Dess
resistivitet avtar med stigande borhalt. Detta kan
utnyttjas vid bestämning av dess föroreningshalt.
Ganska litet är hittills känt om de metoder som
man i USA utnyttjar vid framställning av högren
kisel, men troligen är alla tillämpade förfaranden
grundade på reduktion av en kiselhalogenid.
Enligt en metod framställs ren kisel genom
reduktion av kiseltetraklorid med zink i gasform vid ca
1 000°C (fig. 1 upptill). Kiseln kristalliserar i ganska
stora aggregat i reaktionskärlet (av kvarts).
Ångorna går till en kammare där zinkklorid och
överskott på zink kondenseras; i en kylare utvinns
slutligen icke reagerad kiseltetraklorid. Kiseln tvättas
med syra och vatten för avlägsnande av zink och
zinkklorid.
Föroreningar i zinken är enligt någras uppfattning
en källa till föroreningar i kiseln, och man
reducerar därför kiseltetrakloriden med vätgas (fig. 1 i
mitten). Denna befrias först från syre genom dettas
förbränning vid palladium och därefter från vatten
i en kyld behållare, fylld med aktivt kol. Vätgasen
mättas med kiseltetraklorid och leds sedan in i ett
kärl, innehållande en slinga av ett tantalband som
upphettas elektriskt till 1 100°C. Kiseln utskils på
tantalbandet.
Fig. 1.
Framställning av
högren kisel
genom reduktion
av
kiseltetraklorid (upptill
med zink, i
mitten med vätgas)
samt nedtill
genom termisk
sönderdelning
av
kiseltetra-jodid.
1052 TEKNISK TIDSKRIFT 1957
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
