Full resolution (TIFF) - On this page / på denna sida - Fasta lösningar med variabelt atomtal i elementarcellen av docent Gunnar Hägg
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
av anioner i gittermellanrummen eller genom hålrum i
kationgittret. Den senare möjligketen är sannolikare än den förra.
Elektrondefektställen och därmed ett överskott på
elektronegativ komponent kan man kuvudsakligen vänta, antingen när
kationen lätt kan övergå i ett kögre valensstadium eller anionen lätt
kan övergå i ett lägre valensstadium. Det förra fallet föreligger i
de föreningar av övergångsmetaller, som utgöra de viktigaste
representanterna för elektrondefektledarna.
Mellanrumslösningarna med elektrondefekter kunna följaktligen
räknas till de mellanrumslösningar åtföljda av valensändring, som
tidigare bekandlats. Däremot skulle mellanrumslösningarna med
kvasifria elektroner möjligen kunna hänföras till en ny typ av
dylika lösningar. Då det emellertid ofta kan vara svårt att
särskilja en valensändring från en tillkomst av kvasifria elektroner,
kar så ej skett i denna framställning.
Elektronledningsförmågan ökar givetvis med antalet
överskottselektroner resp. elektrondefektställen. Är detta antal ringa,
antager Wagner att elektronledningsförmågan växer proportionellt
med detta. Då vidare överskottselektronernas resp.
elektrondefektställenas antal är proportionellt mot överskottet av endera ionen
så måste avvikelser från den stökiometriska sammansättningen
medföra en ökning av elektronledningsförmågan.
I samtliga ovannämnda fall med avvikelser från en
stökionietrisk sammansättning, kan man även vänta att det ionslag, vars
antal är variabelt, skall deltaga i elektricitetsledningen. Då
emellertid antalet ioner i gittermellanrummen eller antalet
hålrum är ekvivalent med antalet överskottselektroner eller
elektrondefektställen, ock vidare elektronernas rörligket flera tiopotenser
större än ionernas, så blir elektronledningsförmågan övervägande.
Wagner och medarbetare ha utfört synnerligen viktiga
bestämningar av elektronledningsförmågans variation med
sammansättningen hos en del faser. Hos zinkoxid och kadmiumoxid faller
exempelvis elektronledningsförmågan med stigande syretryck
(34). Båda oxiderna ha alltså variabel sammansättning. De lägsta
ledningsförmågorna böra enligt det sagda motsvara de
stökiometriska sammansättningarna ZnO resp. CdO. Här föreligger
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
