Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - N:r 4. April - Sidor ...
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
POPULÄR RADIO
81
Fig. 6. Fullständigt ekvivalentschema för ett elektronrör med
oändligt stort inre gallermotstånd. Punkterna G, A, K beteckna
rörets tre elektroder.
Observeras bör att parentesen (Vg—Va) vid resistiv
belastning betecknar en summa, i det vektorerna Vg och
Va äro motriktade. Vi utveckla nu Fkomplex = F eJ*9 och
erhålla efter att ha åtskilt reella och imaginära termer:
Yg=—+jwCg <14)
rg
där
wCga F sin B (15)
och
Cg = Cgk + Cga + Cga F eos 0 (16)
Enär admittansen är av typen Yg=g+jb, representerar
den en parallellkrets på rörets gallersida, bestående av
en kapacitet Cg, shuntad med en positiv eller negativ
konduktans l/rg, se fig. 7.
Vi ha nu hunnit så långt, att vi kunna börja diskutera,
vilken inverkan anodbelastningen har på rörets
ingångsimpedans. Innan vi gå in på diskussionen, skola vi
emellertid studera vektorernas inbördes lägen med hänsyn till
vinkeln (-).
Göres anodkretsen reaktiv, d. v. s. införes en
fasförskjutning mellan anodspänning och anodström, så
uppstår också en fasförskjutning mellan anodspänning och
gallerspänning. Att detta är fallet ser man enklast på
rörets arbetsellips i ett iava-diagram, men vi nöja oss här
med ett vektordiagram, som anger de olika fasvinklarnas
lägen. Av det enkla uttrycket för komplexa förstärkningen
Fkomplex=ft , ^ (17)
e+Zb
finner man lätt efter övergång till talvärde och vinkel
sambandet 6=<p—yj, där (p är anodimpedansens
fasvinkel och tf impedansens (^+Zb) fasvinkel, se fig. 8.
Enligt denna figur är q positiv för <p positiv och vice versa,
enär båda vektorerna passera genom noll (x-axeln)
samtidigt och just i det ögonblick reaktansen i anodkretsen
är noll.
7. Diskussion av ekv. IS och 16.
Redan av ekv. 13 framgår, att ingen reell term kommer
att ingå i uttrycket för Yg, om anodkretsen göres rent
resistiv, varför Ig och Vg komma att ligga i rät vinkel
mot varandra. Härvid förbrukas ingen effekt på
gallersidan. Göres däremot anodkretsen reaktiv, kommer
parentesen att innehålla en j-term, d. v. s. uttrycket för Yg får
såväl reella som imaginära termer, och Ig och V komma
ej längre att bliva 90° fasförskjutna.
Dessa förhållanden kunna även läsas ur ekv. 15 och
16. Av den förstnämnda ekvationen framgår, att rent
resistiv belastning ger konduktansen l/rg=0, enär 6> =
0. Motståndet rg över galleringången blir alltså oändligt
stort, d. v. s. ingen effekt förbrukas på gallersidan. I den
mån belastningen blir reaktiv, får rg ett ändligt värde.
Göres sålunda anodkretsen kapacitiv med fasvinkeln <p-,
blir 9 <0 och konduktansen positiv. Effekt förbrukas då
i motståndet rg och detta i allt högre grad, ju mindre rg
är. Göres däremot anodkretsen induktiv med fasvinkeln
cp~\-, blir (■» 0 och konduktansen negativ. Vi få alltså ett
negativt motstånd över galleringången, d. v. s. i stället
för dämpning få vi avdämpning på gallersidan. Energi
överföres då från anodkretsen till gallerkretsen, och vi
kunna säga att detta sker genom inre återkoppling över
kapaciteten Cga. Har röret exempelvis en stämd krets på
gallersidan och drives avdämpningen så långt, att -rg
blir lika med kretsens dynamiska motstånd, så inträder
självsvängning, d. v. s. förstärkarsteget blir instabilt.
Röret engageras då helt och hållet av de stora
svängnings-amplituderna och blir otjänligt för förstärkning av svaga
signaler.
Av ekv. 15 framgår vidare, att risken för instabilitet
är stor vid hög frekvens, stor galler-anodkapacitet och
stor förstärkning i steget. Att så är förhållandet är ju lätt
att verifiera genom praktiska försök.
Studera vi nu ekv. 16, finna vi, att rörets
ingångskapacitet aldrig kan bli mindre än det statiska värdet Cgk +
Cga. Vid såväl induktiv som kapacitiv belastning får det
statiska värdet ett tillskott Cga F eos (■), som blir stort vid
Fig. 7. Det härledda uttrycket för galleradmittansen visar, att den
inre återkopplingen resulterar i ett motstånd rg parallellt med en
kondensator Cg över galleringången.
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
