Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1958, H. 13 - Minnen i elektroniska siffermaskiner, av Carl-Ivar Bergman
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
(2 048 helord) har installerats i den
automatiska räknemaskinen Facit EDB.
Kärnminnets princip
Minneselementet i ett magnetiskt kärnminne
eller ferritminne utgörs av en toroid av ett
speciellt ferritmaterial med en ytterdiameter,
som vanligen ligger omkring 2 mm (Tekn. T.
1955 s. 9). Utmärkande för detta ferritmaterial
är, att dess magnetiseringskurva har en
utpräglad rektangulär form (fig. 3). Om kärnan
magnetiseras med en strömimpuls + im, får
man en stark kvarstående remanens + Ør i
ringen. Strömimpulsen — im ger remanensen
— Ør. Dessa två magnetiseringstillstånd kan
definiera de binära siffrorna 0 och 1.
Anta att kärnan befinner sig i läge 1, och att
en strömimpuls + im med lämplig stigtid och
varaktighet passerar ledaren genom kärnan.
Samtidigt som magnetiseringstillståndet ändras
från — Ør till + Ør induceras en
spännings-stöt i ledaren. Om kärnan från början i stället
hade befunnit sig i O-läge, skulle
strömimpulsen im ha orsakat en spänningssöt av kortare
varaktighet och med avsevärt lägre amplitud
(fig. 4).
Som framgår av fig. 3 ändras magnetiseringen
hos en kärna som befinner sig i 1-läge endast
i ringa grad om den pulseras med
strömstyrkan -f Y2 im. Magnetiseringskurvan
markerade fyrkantform erbjuder en elegant metod att
välja ett önskat minneselement för läsning eller
skrivning (fig. 5). Kärnorna sitter uppträdda
på ett antal mot varandra vinkelräta
pulsledningar X och Y. Varje kärna i denna matris
kan tillordnas en adress, som anges av
koordinater (n, m) definierade av X- och
Y-led-ningarnas ordningsnummer. Samtliga kärnor i
matrisen genomlöpes dessutom av en
läsled-ning, som går diagonalt i förhållande till
X-och Y-ledningarna.
Om en strömimpuls -f V2 im samtidigt skickas
genom pulsledningarna Xn och Ym, blir endast
kärnan (n, m) pulserad med en "helpuls"
+ im. Den spänning, som härvid induceras i
läsledningen (fig. 4), indikerar om en etta
eller en nolla fanns lagrad i den utvalda
kärnan. Om man önskar skriva en etta i adress
{n, m) drives motsvarande pulsledningar med
— V2 im. Vid läsning på detta sätt i adress
(n, m) blir alla kärnor på linj erna Xn och Ym
halvpulserade (utom den utvalda). Varje
halv-pulserad kärna ger upphov till en
störspänning på läsledningen. Läsledningen är lagd så
(fig. 5) att störspänningarna från en viss
driv-ledning parvis kommer att motverka
varandra.
På grund av magnetiseringskurvans krökning
ger en ett-ställd kärna upphov till en större
störning än en noll-ställd. Den ur
störnings-synpunkt ogynnsammaste fördelningen av ettor
och nollor i matrisen är den som uppkommer,
om man skickar strömmen + im eller — im
genom läsledningen. Ju större störningen är
desto svårare är det att vid läsning diskrimi-
Fig. 6. Inverkan av halvpulsering.
nera mellan en etta och en nolla. Eftersom
störspänningens maximum inträffar tidigare än
maximum för en 1-impuls, är det lämpligt att
vid läsning använda en kombination av
amplitud- och tidsdiskriminering. Kravet på goda
marginaler vid denna diskriminering sätter en
övre gräns för det antal kärnor, som kan
hopkopplas i en och samma matris.
Om en kärna i 1-läge utsättes för upprepade
halvpulseringar, -f V2 im, kommer
magnetiseringen i kärnan att avta till ett värde 0/ < Ør;
man får en "störd etta"7. Minskningen i Ør bör
vara så liten som möjligt, och det är vidare
önskvärt att ett stationärt tillstånd inträder
efter så få halvpulseringar som möjligt. För en
god kärna är detta tillstånd uppnått redan efter
två halvpulser (fig. 6).
I en matris med N stycken X-ledningar och
M stycken Y-ledningar kan N • M binära siffror
lagras. Ett minne med en kapacitet av N • M
ord vardera bestående av P binära siffror kan
byggas upp av P matriser med N • M kärnor i
Fig. 7.
Blockschema för
kärnminne.
310 TEKNISK TIDSKRIFT 1958
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
