Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 8. Om halvledare - Halvledarmaterial av N-typ - Halvledarmaterial av P-typ
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
elektronernas värmerörelser att frigöras elektroner från halvle-
darmaterialets ”ordinarie” atomer, därvid uppstår det hål, allt-
så positiva laddningsbärare. De fria elektronerna dominerar
emellertid som laddningsbärare i materialet, de utgör majori-
teten av laddningsbärare i N-materialet och kallas av denna
anledning majoritetsbärare. Se fig. 806a.
Elektronerna flyter fram i det s.k. ledningsbandet, vilket
betyder att elektronerna är frigjorda från atomernas bind-
ningar.
Halvledarmaterial av P-typ
Genom tillsats i mycket små mängder av bor, aluminium,
gallium eller indium kommer i germanium- eller kiselkristal-
lens atomstruktur att infogas atomer som kan ta upp en elek-
tron mindre än halvledarmaterialets atomer. Det betyder att
det i atomstrukturen kommer att bli ett antal atomer med
underskott på en elektron, dessa atomer med ”hål” efter
elektroner fungerar som fria positiva laddningsbärare.
Halvledarmaterial som på detta sätt genom tillsats av
störämnen blivit utrustade med fria positiva laddningsbärare
benämnes halvledarmaterial av P-typ (P = positiv).
Anlägges med hjälp av en yttre spänningskälla, se fig. 804,
en spänning över ett halvledarmaterial av P-typ kommer hålen
att attraheras mot den negativa sidan av materialet, där re-
kombineras hålen med elektroner i den förbindningstråd av
metall som användes för anslutning av halvledarkristallen till
den yttre spänningskällan. Elektroner ”sugs” alltså in här från
spänningskällan. I andra änden av halvledarmaterialet där
spänningskällans positiva pol anslutes attraheras elektronerna
i halvledarmaterialet, därvid uppstår det nya atomer som
saknar en elektron och vandringen av hål genom materialet
upprätthålles. Elektroner förs in i halvledarmaterialet i ena
änden och dras ut ur materialet i andra änden. För varje
hål som fylls ut med en elektron i ena änden skapas en ny
atom med brist på en elektron (hål) i andra. Hålen lämnar
alltså inte halvledarmaterialet och kan bara existera i detta.
Se fig. 804.
I ett P-dopat halvledarmaterial uppträder p.g.a. atomer-
74
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
