Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 8. Om halvledare - Halvledarmaterial av N-typ
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
2
Fig. 804
Ström genom halv-
ledare genom ”hål”
efter elektroner (=
positiva laddnings-
bärare) i halvledar-
materialet.
a) Störatomer som
har en elektron
mindre än halvle-
ledarmaterialets
atomer ger upp-
hov till hål i halv-
ledarmaterialet.
b) En pålagd yttre
spänning över
halvledarmateria-
let driver hålen
mot negativa Si-
dan. Hålen måste
passera via ato-
mernas yttre elek-
tronbanor (i ”va-
lensbandet”).
c) Hål som närmar
sig den metalliska
ledare som förbin-
der = halvledaren
med spänningskäl-
lans negativa pol
rekombineras med
elektroner som
sugs ut ur ledaren.
Samtidigt sugs
elektroner ut i den
ledare som förbin-
der = halvledaren
med spänningskäl-
lans positiva pol,
så att nya hål
uppstår i halvle-
darmaterialet.
Ström genom halvle-
fp Fig. 803 pZzz
O
0- dare genom fria elek-
- Ö z troner i halvledarma- Ö
a : terialet. A
Or | Hål a) Störatomer i halv- -QO- i
GY re s z -=- Fri elektron
OC ledarmaterialets -OT
gal Störatom atomstruktur alst- T-Störatom
VV
rar fria elektroner UP
i materialet.
| b) En pålagd spän-
Mo
O
ning över halvle-
I daren driver elek-
troner mot positi-
t va sidan i ”led- ÖS
Ö- | ningsbandet”, dvs. b me
Zl
I
(OD)
I
L
+"
vh
sy!
utanför <atomer- 2
- nas bindningar. =
Z c) Elektroner som PZZZ
rr sugs in i den me- VL
talliska ledare som
[FE De)
(EEE förbinder halvle- [FT
daren med spän-
ZMA ningskällans posi- Me
= Jalle il Rekombi-;73 tiva pol ersättes Sr |:
0) nation - -QO-
= med nya fria elek- 5
ell = - troner, som tillfö- FCls ER
=O 5 res halvledaren GE Te
(0 från den metallis-
E ka ledare som för-
Mo lh binder halvledaren
| med spänningskäl-
lans negativa pol.
positiva sidan av materialet, där fortsätter elektronerna ge-
nom förbindningstråden till batteriets pluspol. I andra än-
den av halvledarmaterialet där spänningskällans negativa pol
anslutes matas nya fria elektroner in i materialets atom-
struktur. Därigenom upprätthålles vandringen av elektroner
genom halvledarmaterialet. Fig. 803.
Samtidigt som det i ett N-dopat material uppträder fria
elektroner från störämnesatomerna kommer det på grund av
78
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
