Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 9. Halvledardioder
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 902
En halvledardiod har
ofta en uppbyggnad
enligt a), där T =
tilledningstrådar, B
= fjädrande kontakt
mot halvledarskivan
H som stöder mot ett
metallstöd S. A =
höljet av metall eller
plast.
I b) visas yttermåt-
ten på en halvledar-
diod för max 1 A
ström i ledriktning-
en.
Nederst visas hur
balvledarskivan H i
a) kan se ut i ge-
nomskärning.
T-.h. i bilden visas
symbolen för en
halvledardiod.
N-ledande materialet (eftersom de berövats elektroner) och
negativ laddning i det P-ledande materialet (eftersom hålen
försvunnit). Resultatet av detta blir att det byggs upp en s.k.
”potentialbarriär” i gränsskiktet mellan det P- och N-ledande
materialet. Denna barriär som växer upp så snart ett antal
fria laddningsbärare gett sig i väg från det N- resp. P-ledande
materialet i gränsområdet förhindrar att övriga delarna
av P- resp. N-ledande områdena töms på sina fria laddnings-
bärare.
Det blir endast ett tunt skikt i gränszonen som plund-
rats på fria laddningsbärare. Detta område kallas för PN-
övergång eller spärrskikt eftersom det här uppstår en spär-
rande potentialbarriär mellan P- resp. N-ledande materialen.
Se fig. 901. En anordning av detta slag benämnes en halv-
ledardiod. En sådan har en uppbyggnad enligt fig. 902 och
uppvisar egenskaper som i det stora hela överensstämmer
med elektronrörsdioden.
Om man till en halvledardiod pålägger en förspänning så
som antydes i fig. 903 a, kommer de negativa laddningsbä-
rarna att attraheras mot den positivt förspända änden av halv-
a)
Re So Anod
b) | S —P
Ja
N LE
8)
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
