Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 10. Transistorer
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Hf RR 5O (1 f0dc0ccc5A 070 AA oa dr fil
; |
Transistorer KAPITEL 10
I halvledardioden ingår — som visades i kapitel 9 — två halv- |
ledarmaterial: dels ett N-ledande, dels ett P-ledande. Dessa
material är sammanfogade och i kontaktytan mellan mate- |
rialen uppstår ett spärrskikt — en PN-övergång som uppvi-
sar osymmetriska ledningsegenskaper i det att en elektrisk
ström passerar tämligen obehindrat i ena riktningen men
spärras i andra.
j Skillnaden mellan en halvledardiod och en transistor är, att
det i transistorn ingår tre halvledarmaterial i stället för två,
dessa tre halvledarmaterial är sammanfogade så att det upp-
står två spärrskikt — två PN-övergångar. I princip kan där-
för en transistor sägas vara uppbyggd av två halvledardioder.
Dioderna är alltid vända mot varandra så att antingen kato-
derna eller anoderna är sammankopplade. Se fig. 1001. I
förra fallet talar man om PNP-transistorer i senare fallet NPN-
transistorer.
Man har sålunda när det gäller PNP-transistorer två P-le-
dande halvledarområden, som ”sandwichas” samman med ett
N-område. NPN-transistorer har i stället två N-ledande halv-
ledarområden med ett mellanliggande P-ledande område.
Det gemensamma mittområdet är alltid mycket tunt. Man
me —
Kollektor
ct Fig. 1001
SS NM ;
Bas IP-typ Bas En transistor kan
2—Nop uppfattas som upp-
; byggd av två mot
RT varandra vända
NPN- transistor PNP-tramsistor halvledardioder.
88
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
