Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 10. Transistorer
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
ECE
Genom förspänningen i framriktningen kommer spärrskik-
tets bredd i PN-övergången mellan bas och emitter att minskas
och de fria positiva och negativa laddningsbärarna på ömse
sidor om spärrskiktet kommer att överskrida potentialbarriä-
ren. När det gäller PNP-transistorn kommer elektroner i det
N-ledande basområdet att gå över i emittern och hålen i det
P-ledande emitterområdet att gå över i basområdet: det upp-
träder en ström i emitter-bas-diodens framriktning. |
När det gäller NPN-transistorer kommer hålen i det P-
ledande basområdet att gå över i emittern och elektronerna i
det N-ledande emitterområdet går över i basområdet.
Nu är emellertid basområdet mycket tunt och de laddnings-
bärare som från emittern strömmar in över den delvis ned-
brutna potentialbarriären i PN-övergången mellan bas och
emitterskiktet kommer av bara farten att fortsätta in i kol-
lektorskiktet.
| I det följande anknytes beskrivningen av transistorns verk-
| ningssätt till PNP-transistorn, men verkningssättet för NPN-
transistorn är fullt analogt frånsett att polariteten hos ladd-
ningsbärare och pålagda spänningar är omvänd. Fig. 1004.
Genom att kollektorn i PNP-transistorn är negativt laddad
i förhållande till emittern, se fig. 1004, kommer de positiva
laddningsbärare som från emittern via det tunna basområdet
Kollektor Fig. 1004
I en PNP-transistor
förorsakar förspän-
ningen Epp att spärr-
skiktet mellan bas-
och emitterområde- |
= Ecg na bryts ner så att |
laddningsbärare kan |
passera skiktet. En
stor del av de nega-
ERE tiva laddningsbärar-
na som från emit-
Emitter tern passerar det
tunna =basområdet
når in i kollektorn.
Jala
I
I
920
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
