Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 10. Transistorer - Olika typer av transistorer - Integrerade transistorer
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
ÄR
SEE
Metallhölje
Gerrnaniumskiva b)
2 Kiselskiva
Bl EU K
Fig. 1007 Effekttransistorer har större germaniumskivor på vilka an-
Transistorer förses
ofta med höljen av
metall som skydd
mot ytpåverkan ge-
nom fukt m.m.
a) Legerad <germa-
niumtransistor = i
hölje av metall.
Germaniumskivan
— någon mm”
stor — är fastlödd
vid bastilledningen.
b) Kiseltransistor i
metallhölje. Kisel-
skivan är anbring-
ad på höljets bot-
ten (jfr. fig. 1009).
bringas kollektor- resp. emitter-”piller”. Enheterna inmonteras
i relativt stora metallhöljen, som vanligtvis står i metallisk
kontakt med kollektorskiktet. Därmed erhålles god värmeav-
ledning. Se fig. 1008 och 1011.
Nyare transistorer har kisel som halvledarmaterial. Dessa
transistorer tillverkas i s.k. planarteknik, vilket betyder att man
som utgångsmaterial har en kiselskiva i vilken från ena sidan
är indiffunderad olika skikt med störämnen av P- och N-typ.
Se fig. 1009. Genom att det på kiselytan bildas ett skyddande
oxidskikt är det lätt att skydda kiselytorna mot ytpåverkan
från fukt och luft.
Därigenom har det också visat sig möjligt att avstå från
inkapslingar i metallhölje, se fig. 1007, och numera är det
mycket vanligt att kiseltransistorer skyddas enbart av ett
plastöverdrag, se fig. 1010.
Fördelen med kiseltransistorerna är att kisel uppvisar vä-
sentligt lägre värden på egenledningen. Se kap. 8. Därmed
kommer också läckströmmen i halvledarprodukter av kisel
att anta väsentligt lägre värden, dessa strömmar är ca 1000
gånger mindre i kisel än i germanium. Vidare tål kiseltran-
sistorer betydligt högre temperaturer, ca + 180” mot ca +90?
C för germanium.
Integrerade transistorer
Transistorer i integrerade kretsar är utformade i planar-
teknik i princip på samma sätt som nyss antytts för kisel-
transistorer. Man har alltså en kiselskiva som underlag i vil-
ken indiffunderas olika störämnen av N- eller P-typ och till
25
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
