Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 10. Transistorer - Integrerade transistorer - Transistorn — elektronröret, likheter och olikheter
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Öl oo
vilka sedan anbringas tilledningstrådar. Förbindningar mellan
transistorer och andra komponenter på de integrerade kret-
sarna sker i allmänhet genom att man ovanpå oxidskiktet an-
bringar aluminiumledningar.
Transistorn — elektronröret, likheter och olikheter
Transistorns verkningssätt påminner om triodens. Emittern
kan sägas svara mot katoden. Från emittern utgår ju de ladd-
ningsbärare som man skall styra. Basen svarar mot styrgall-
ret i trioden i det att basen kontrollerar strömmen av ladd-
ningsbärare som utgår från emittern mot kollektorn liksom
styrgallret i elektronröret styr de laddningsbärare som utgår
från katoden mot anoden.
Kollektorn i transistorn samlar upp de laddningsbärare
som passerar basområdet på samma sätt som anoden samlar
upp de elektroner som passerar förbi styrgallret i trioden.
Men även om vi har ett styrningsförlopp i transistorn som
påminner om det som tilldrar sig i elektronröret, så finns det
olikheter. Sålunda styrs strömmen av elektroner mellan ka-
tod och anod i elektronröret av ett elektrostatiskt fält under
det att strömmen av laddningsbärare mellan emitter och kol-
lektor styrs av en ström.
När det gäller kretsar med elektronrör talar man därför
oftast om spänningsförstärkning, när det gäller kretsar med
transistorer är det oftast mera praktiskt att tala om ström-
förstärkning. Detta utesluter givetvis inte att man kan tala
om spänningsförstärkning i kretsar med transistorer. Detta
illustreras i fig. 1012, som utgör grundschemat för en tran-
sistorförstärkare. I denna förstärkare ingår ett belastnings-
94
Fig. 1008
Effekttransistorer är
uppbyggda på större
skivor av halvledare
(G) i vilka indiffun-
derats störämnen
som bildar de tre N-
resp. P-ledande om-
rådena. För att un-
derlätta — värmeav-
ledningen är oftast
kollektorn direkt
metalliskt förbunden
med metallhöljet. Via ”
isolerade bussningar
(D) ledes tillednings-
trådar för bas B resp.
emitter E in i höljet
där kontakter är an-
ordnade till emitter
resp. bas, den sena-
re har ofta kontak-
ten anordnad som en
ring på germanium-
skivan.
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
