Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 10. Transistorer - Transistorn — elektronröret, likheter och olikheter
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 1009
Kiseltransistorer till-
verkas i planarteknik
vilket betyder att
man har en kisel-
skiva som utgångs-’
material i «vilken
man genom diffu-
sionsprocesser inför
störämnen för N-
resp. P-områdena.
Halvledarytan skyd-
das av ett kiseldiod-
skikt SiO, som utgör
ett ytterst effektivt
skydd mot ytpåver-
kan från luften. Kol-
lektorbeläggning av
metall underst.
b) Kiseltransistor av
epitaxialtyp med ett
på starkt dopat kisel-
underlag (N+) an-
bringat ”epitaxiellt”
skikt av normalt N-
dopat kisel. N-—+-
skiktet fungerar som
kollektor. I det epi-
taxiella skiktet är in-
diffunderat N- och
P-områden som fun-
gerar som bas resp.
emitter. Fördelen
med det = epitax-
iella förfarandet är
att man kan använda
billigare = kiselskiva
som underlag; den
starka dopningen gör
att N-—+-skiktet fun-
gerar som metallbe-
läggning.
SE SiO 3 ff
; je N Si02
SN föne EAS 2 EN
NE SE FOSS NE fö ss in
motstånd R, i kollektorkretsen, dvs. i den strömkrets som lig-
ger inkopplad mellan kollektorn och kollektorbatteriet. Då Rc
passeras av kollektorströmmen uppstår det över R. ett spän-
ningsfall, som varierar i takt med kollektorströmmens varia-
tioner. Dessa spänningsvariationer utgör en trogen kopia av
de strömvariationer, som föreligger i den styrande basström-
men. Men eftersom kollektorströmmen är betydligt större än
basströmmen är ”strömkopian” i kollektorkretsen avsevärt
förstärkt. Om R, är relativt högohmig blir ”utspänningen”
över R, väsentligt större än den pålagda insignalspänningen.
I detta sammanhang gäller det att se upp med en sak om
man eftersträvar en distorsionsfri spänningsförstärkning vid
större signalamplituder. Man måste då i baskretsen ha en
ström, vars variationer utgör en exakt kopia av spännings-
variationerna i den påförda signalspänningen. Eftersom det
mellan bas och emitter i transistorn ingår en i framriktningen
förspänd diod, vars resistans varierar med spänningen, måste
signalkällans resistans vara väsentligt större än bas-emitter-
diodens framresistans. Endast under den förutsättningen blir
den signalström som uppstår i bas-emitterkretsen tillräckligt
opåverkad av ändringarna i bas-emitterdiodens framresistans
så att basströmmens variationer utgör en trogen kopia av
signalspänningens variationer.
En annan olikhet mellan transistorer och elektronrör är
att elektronröret alltid kräver två spänningskällor, en för
upphettning av glödtråden och en annan för att göra anoden
positivt laddad i förhållande till katoden.
Transistorkretsar behöver endast en spänningskälla, denna
kan samtidigt användas för att hålla kollektorn vid negativ
potential i förhållande till emittern (vid PNP-transistorer) och
för att ge basen önskad förspänning. Detta kan uppnås genom
att en spänningsledare anbringas över kollektorspänningskäl-
95
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
