Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 10. Transistorer - Stabiliseringskopplingar
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
so RR
I MD HH
j-
f-
J
|-
Fig. 1016
Stabiliserande kopp-
ling för transistor-
förstärkarsteg med
utgångstransforma-
tor och PNP-transis-
tor.
detta motstånd; Detta spänningsfall gör emittern mera negativ
i förhållande till punkten A. Man brukar välja R, med sådant
resistansvärde att det över R, uppstår ca 1 V spänningsfall vid
normal emitterström.
Vid ökande temperatur, då emitterströmmen ökar, blir
emittern mera negativ i förhållande till punkten A. Vid sjun-
kande temperatur då emitterströmmen minskar kommer emit-
tern att få lägre negativ potential i förhållande till punkten A.
Vid ökad emitterström ökar emitterns negativa potential i
förhållande till punkten A, medan basens potential i förhållan-
de till punkten A är oförändrad. Detta betyder att den ne-
gativa förspänningen på basen minskar vid ökande emitter-
ström, denna minskande negativa förspänning gör att ström-
men genom transistorn tenderar att minska. Den med ökan-
de temperatur inträdande ökningen av strömmen genom tran-
sistorn motverkas sålunda och en viss stabilisering uppstår.
Vid minskande emitterström minskar emitterns negativa
förspänning mot punkten A, då spänningsfallet över R; mins-
kar. Därmed ökar den negativa förspänningen på transistorn,
vilket tenderar att öka emitterströmmen.
På detta sätt ernås en stabiliserande verkan, så att emit-
terströmmen är tämligen oförändrad vid varierande tem-
peratur.
I fig. 1016 är motsvarande koppling tillämpad på ett trans-
formatorkopplat transistorsteg.
För NPN-transistorer gäller exakt samma resonemang, skill-
101
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
