Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 10. Transistorer - Termisk lavin - Stabiliseringskopplingar
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
termiskt instabil. Strömmarna genom en transistor orsakar ju
uppvärmning av halvledarmaterialen. Strömmar, som är till-
räckligt kraftiga för att åstadkomma större värmemängd än
den som avledes från transistorn, kan därför ge upphov till
en lavinartad ökning av uppvärmningen. Strömökningen or-
sakar uppvärmning, denna uppvärmning ökar transistorns led-
ningsförmåga, därmed sker ytterligare strömökning som i sin
tur ökar värmeutvecklingen i transistorn. Därmed är ett för-
lopp inlett som — om det inte hejdas i tid — kan leda till
att transistorn förstörs genom för stor upphettning.
Även om risken för termisk lavin är obetydlig när det gäller
småsignaltransistorer fordras det att speciella kopplingar ut-
nyttjas för att stabilisera strömmen. Motsvarande kopplingar
är inte nödvändiga när det gäller kopplingar med elektronrör,
de extra kopplingar för temperaturstabilisering som fordras i
transistorapparater kan sägas vara det pris man får betala för
fördelen att man slipper att arbeta med glödande emissions-
skikt.
Stabiliseringskopplingar
För att en transistor skall fungera inom ett mera vidsträckt
temperaturområde fordras att man måste ta till vissa tem-
peraturstabiliseringskopplingar. Enklaste sättet att åstadkom-
ma sådan stabilisering är att koppla in ett emittermotstånd
R.. Se kopplingen i fig. 1015.
Verkningssättet för denna stabiliseringskoppling är följan-
de. Emitterströmmen Ip + Ic för en PNP-transistor passerar
genom motståndet R, varvid ett spänningsfall uppstår över
100
Fig. 1015
Stabiliserande kopp-
ling med emittermot-
stånd för transistor-
förstärkare med
PNP-transistor. Ökar
strömmen genom
transistorn t. ex. på
grund av att tempe-
raturen stiger mot-
verkas strömökning-
en genom att spän-
ningsfallet över
emittermotståndet
R, ökar, så att för-
spänning på basen
Upp minskar.
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
