Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 11. Om transistorkurvor - Belastningslinjen - Temperaturberoendet
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 1101
Exempel visande hur
en = belastningslinje
för R. = 1 kohm
lägges in i
ett Io — Upgprdia-
gram för en småsig-
naltransistor. Dia-
grammet ger bl. a.
följande upplysning-
al
1) En basström =
20 uA ger en kollek-
torström = 3 mA
och en spänning kol-
lektor — emitter =
SVE
2) Varierar bas-
strömmen =+& 10
uA omkring vilovär-
det 20 uA uppstår
strömvariationer +
1,4 mA och — 1,3
mA kring kollektor-
strömmens <vilovär-
dellgo == SIMmAS
3) Över kollektor-
motståndet Rc upp-
står då spänningsva-
riationer + 1,3 V —
1,4 V kring vilovär-
det Sve
lan kollektorspänningskällans minuspol och transistorns kol-
lektoranslutning. Resultatet av divisionen Ucp:R, ger ett
strömvärde. Detta strömvärde uppsökes på ZIc-axeln och en
rät linje dras från denna punkt till den punkt på Ucr-axeln
som svarar mot kollektorspänningskällans polspänning.
Anta att man har en kollektorspänningskälla Ucg = 8 V
och att man tänker lägga in en resistans R. = 1 kohm i
kollektorkretsen på en småsignaltransistor av NPN-typ. Di-
visionen Ucp : R, ger resultatet 8 mA. Detta värde uppsökes
på Ic-axeln. Man drar sedan en rät linje mellan punkterna
Uop= -8 V på Ucp-axeln och I, = -8 mA på Ic-axeln. Den-
na linje är belastningslinjen för R, = 1 kohm. Se fig. 1101.
Den i fig. 1101 inritade belastningslinjen ger sambandet
mellan Ic och Ucp när man har nyssnämnda belastningsre-
sistans, dvs. 1 kohm, inkopplat i kolektorkretsen. För en
styrström = basström Iz; = 20 u finner man att I, = 3 mA
och Uop = 5 V.
På samma sätt får man för Ig = 30 uA, Ic = 4,3 mA
och Ucr 20 VI IROr 10 pe er lg = HJ mv och
U (OO 03 NE
Temperaturberoendet
Med belastningslinjen inritad i Ic-Ucrp-diagrammet får man
tydligen fram viktiga uppgifter om hur man bör välja tran-
sistorns arbetspunkt. Förfarandet är fullt analogt med det
som tillämpas när man studerar arbetsförhållandena i motsva-
rande kurvor för elektronrör. Dock tillkommer en faktor som
inte är aktuell i elektronrörssammanhang, transistorns tem-
peraturberoende. Att halvledarskikten i en transistor får ökad
ledningsförmåga vid ökande temperatur berördes redan i
föregående kapitel. I fig. 1102 visas Io-Ucp-kurvor vid +25?
C och vid +4529 C för en germaniumtransistor. I fig. 1103
visas motsvarande kurvor för en kiseltransistor.
Som synes förskjuts hela skaran av Io-Ucp-kurvor mot
högre Ic-värden. Det betyder att man, om man håller bas-
strömmen Ip konstant, får en förskjutning av arbetspunkten
så att denna kan komma att ligga osymmetriskt i Ic-Uczr-
diagrammet med påföljd att man får en osymmetrisk för-
107
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
