Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 11. Om transistorkurvor - Temperaturberoendet
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
4 å
’ Ig=
403A (+45"C)
pp
-
-
pp”
AR
w
SR
RN,
40uA (+25C)
TZ OA (+45’C)
NT FSS
|
I
9 SN a
Y
XV
)
|
I
|
|
3 JOHA(+45"C)
| ee L— fas vm 20uA(+ 25”C)
f IOuA (+ 257)
—OBA (+45"C)
— — a—
-
ÅA OA (+25"C)
3 3V
— UcE
stärkning av en påförd sinusström. Se fig. 1104 och 1105.
Hur man stabiliserar arbetspunkten har visats i kap. 10.
En jämförelse mellan kurvorna i fig. 1102 och 1103 ger
vid handen att kiseltransistorer uppvisar mindre temperatur-
beroende än germaniumtransistorer.
Att märka är att likströmresistansen i transistorns kollek-
torkrets kan vara en annan än impedansen i samma krets.
Om man sålunda har ett avkopplingsmotstånd R,, = 1 kohm
som visas i fig. 1106, i serie med ett belastningsmotstånd
R» = 1 kohm för en transistor, så får man räkna med att
likströmsresistansen är = R.,+R., under det att belastnings-
resistansen är = R.,, enär kondensatorn C, kortsluter R,,
till emittern, så att R., i praktiken växelströmsmässigt ligger
parallellt över transistorn mellan kollektor och emitter som
belastningsmotstånd.
108
Fig. 1102
Ic-Uopkurvor = för
germaniumtransis-
tor dels vid tempera-
turen +25” C (hel-
dragna kurvor), dels
vid temperaturen +
45” C (streckade
kurvor).
—
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
