- Project Runeberg -  Elektronikens grunder / 2. Elektronrör och halvledarkomponenter /
123

(1966-1968) [MARC] Author: John Schröder
Table of Contents / Innehåll | << Previous | Next >>
  Project Runeberg | Catalog | Recent Changes | Donate | Comments? |   
Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.

Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 12. Transistorns konstanter - Förenklade formler - Andra transistorparametrar

scanned image

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Below is the raw OCR text from the above scanned image. Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan. Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!

This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.

TR Aa

Fig. 1211
Strömförstärkning-
en F; som funktion
av Z, hag för ett
GE-steg.

mindre än om Z, är lågohmig. Faktorn (hj, hy. / A h.) är av
storleksordning 1,3 för småsignaltransistorer.

För spänningsförstärkningen gäller för det fall att Z, > ber
och Z; > he

Jä AG läg UV MIND
Se fig. 1210.

Värdet på A he håller sig mellan 0,03 och 0,1 för små-
signaltransistorer. Det lägre värdet gäller för germaniumtran-
sistorer, det högre för kiseltransistorer.

Med lågohmig signalspänningskälla och högohmig belast-
ning kan man tydligen uppnå en spänningsförstärkning Fs
från ca 10 Ayre för kiseltransistorer och upp till ca 30 öra Or
germaniumtransistorer.

CE

hfe
Denna år
RS

rer

103 AO 1 10 102 10
—Z|:hoe

Med Z,a hj, och Z, a Z;j, blir F, någonting mellan h;./2
och hre/4.

För strömförstärkningen F; gäller att F; a hj, om Z, <
1/h,.. Om Z; a hyg blir F; 2 hjo/2.
Sa a HN

3

Andra transistorparametrar

Förutom transistorns h-parametrar används andra, t.ex. y-
parametrarna och z-parametrarna. Sambandet mellan h-, y-
och z-parametrarna för en transistor i gemensam-emitter-
koppling, GE-koppling, ges i tab. 20

1 Utförliga beräkningsexempel med olika slag av parametrar på

olika transistorkopplingar återfinnes i SCHRÖDER, J: Radio- och
elektronikdataboken, Stockholm 1965, Nordisk Rotogravyr.

123

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Project Runeberg, Thu Aug 14 20:08:42 2025 (aronsson) (download) << Previous Next >>
https://runeberg.org/grunder/2/0131.html

Valid HTML 4.0! All our files are DRM-free