Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 12. Transistorns konstanter - Förenklade formler
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Zn De Alde
Se fig. 1208.
För utgångsimpedansen Z,; gäller att om
Zo Shie blir
Zu SÅ Uh
Zy,: blir högohmigare vid lågohmigare värden på Zy. Se fig.
1209:
Om Z, är extremt lågohmig blir
Zu NY h;e / Al — Wösg
Zz
= 2 bj
RNE)
+
he Ahe
hjetZg
Ahe Säj | | Fig. 1209
2 Ahe NGE Utimpedansen Zy;
som funktion av Z,
h JAh, för ett GE-
steg.
2 1 10 ORO 3
Zg hoe
Ahe
Fs
7
AEA
; ANS + Zg )
Sår Ahe+(hje/l ZI)
he. LiD
q fe7+z :
hje Lin ARS Fig. 1210
e . . ev .
LA [ Zin+Zg S Spänningsförstärk-
KA Flag ningen F, som funk-
fr JD ned | tion av Z;/h;, för ett
inrzg 5 - 5 GE-steg.
10 10 10 1 10 10 103
hje
Z;, minskar tydligen om Z;, är högohmig och blir (h,, hj./
A hh) gånger mindre än om Z; är lågohmig. Z,, minskar om
Z, är högolmig och blir också (ht; hi. / AA KR) gånger
122
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
