Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 14. Fälteffekttransistorn - Verkningssättet - Förspänning
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
— 6
Up —>Ups
linjärt med pålagd spänning, se fig. 1405. Vid ett visst värde
på spänningen Ups kommer emellertid strömmen ZI, att nå ett
mättnadsvärde. Den spänning vid vilken detta inträffar be-
nämnes ”pinch-off-spänning” och betecknas med Up. Vid
denna spänning är strömmen mellan D- och S-elektroden sam-
manträngd i en mycket tunn strömbana. Ytterligare ökning
av spänningen Ups medför endast en obetydlig ökning av
strömmen I, genom transistorn.
Förspänning
Om man sedan i en fälteffekttransistor lägger en viss negativ
förspänning Ug,gs mellan grindelektrod och S-elektrod kommer
den PN-övergång som uppstår mellan grindelektrodens P-le-
dande material och fälteffektkanalens N-ledande material att
bli förspänd 1 backriktningen. Därvid uppstår det mellan N-
materialet och P-materialet en PN-övergång, ett spärrskikt, som
är nästan tömt på fria laddningsbärare, se fig. 1406 a.
Ökas nu den negativa förspänningen på grindelektroden kom-
mer ”bristområdet”, dvs. det område som mer eller mindre
saknar fria laddningsbärare, att sträcka sig allt längre in i
N-materialet, spärrskiktets bredd ökar. Därvid blir den kanal
i N-materialet genom vilken laddningsbärare kan passera från
S-elektrod till D-elektrod allt trängre, se fig. 1406 b. Slutligen
uppnås ett tillstånd då de båda bristområdena tränger in i
varandra, se fig. 1406c. Därvid spärras kanalen helt och ström-
men mellan S- och D-elektrod — frånsett en mycket liten läck-
136
Fig. 1405
I en koppling enligt
fig. 1404 erhålles
om I,=0 detta sam-
band mellan ström-
men genom faältef-
fekttransistorn In
och den mellan S-
och D-elektroden
anlagda spänningen
U pg:
RAR a |
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
