Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 14. Fälteffekttransistorn - Förspänning - Pinch-off-området
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
a
Fig. 1406
En fälteffekttransis-
tors verkningssätt ba-
seras på att det
spärrskikt som utbil-
das mellan den i
halvledarmaterialet
inbyggda kanalen
med N- eller P-halv-
ledarmaterial och
halvledarmaterialet
(av motsatt typ, P
resp. N) varierar
då spärrspänningen
över spärrskiktet va- b/
rierar. Strömmen i
kanalen Ip, blockeras
då mer eller mindre.
a) Låg spärrspän-
ning.
b) Något högre
spärrspänning.
c) Hög spärrspän-
ning; kanalen är
helt blockerad. SÅ
Y
-EGs
+la!
ström — är praktiskt taget helt spärrad. Fälteffekttransistorn
är strypt.
Typiskt för fälteffekttransistorn är att om en negativ förspän-
ning Ugas anläggs, som är = pinch-off-spänningen, stryps ock-
så I, helt.
Pinch-off-området
I pinch-off-området, dvs inom det område där summan av
Ups och Ugs överstiger pinch-off-spänningen Up, kommer en
ökning av spänningen Ups att åstadkomma endast obetydlig
Sv
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
