Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - Sidor ...
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Modulering
Amy-mm- Ata-«
hor-dy torp
Fig. 7X4. Spånnings-
förhållandena
överst, samt där-
under strömförhål-
landena för ett gal-
lerrnodulerat klass
C-steg. lys IK
Uteffekten på moduleringstoppen blir
PUL:1–2 « la tud (5)
Pt» : Ia0 Ua0 (6)
Vid bärvågsförhållandena (m=0) skall
anodväxelspänningen och -strömmen gå
ned till hälften av motsvarande värden vid
moduleringstoppen. Detta innebär, att U»,
u»»«-» och I» då äro kända. För den fort-
satta beräkningen antages nu ett värde på
GM t. ex. 1400. Därefter erhålles ur fig. 4X3
ett värde på IW samt ur rörkurvan
u»,,»», då ju ullmm är känd. Den högfre-
kventa gallerväxelspänningen är densam-
ma som vid moduleringstoppen, varför Ga
kan kontrollräknas enligt ekv. 4—(Z a).
Avviker detta mycket från det ovan an-
tagna värdet, få de senast beräknade vär-
dena korrigeras. Den fasta gallerförspän-
ningen, Uw, vid rn=0, kan nu beräknas
och därefter moduleringsspänningens am-
plitudvärde U,«
Um= UFO («k-—–1)—Uy0 (-«s—:0) (7)
Den erforderliga driveffekten, den hög-
frekventa såväl som den tonfrekventa,
kommer tydligen att variera med module-
ringsgraden. För att respektive drivenheter
icke skola utsättas för en starkt varieran-
de belastning, bör man ordna med kon-
stanta extrabelastningar enligt fig. 7X3.
Den högfrekventa belastningen utgöres
här av en resistans, t. ex. en koltrådslam-
pa, induktivt kopplad till gallerkretsen,
och den tonfrekventa av ett motstånd,
kopplat parallellt över moduleringstrans-
formatorn. .
Toppvärdet av moduleringseffekten blir
då rn=1
PM= IFJO Um (8)
där l»0 är gallerlikströmmen vid module-
ringstoppen· Minst denna effekt jämte den
i belastningsmotståndet R måste alltså mo-
dulatorn kunna avge.
Bromsgallermodulering. Detta är den enkla-
ste moduleringsmetoden. Den erforderliga
tonfrekvenseffekten är obetydlig och in-
justeringen synnerligen enkel. På grund av
bromsgallerkarakteristikans långsamt av-
smalnande karaktär vid stora negativa
värden på bromsgallerspänningen bör mo-
duleringsgraden icke drivas högre än till
80 0J0, då i annat fall en kraftig distorsion
inträder. (En fördel med detta förhållande
är, att övermodulering undvikes.)
Arbetssättet ät huvudsakligen detsam-
ma som vid gallermodulering, innebärande
ett relativt högt medelvärde av ua W-» med
påföljd att anodverkningsgraden blir gan-
ska låg, ca 35 olo. Endast på själva modu-
leringstopparna uppgår verkningsgraden
till den för ett klass-C-steg.
Det bromsgallermodulerade steget in-
justeras för högsta uteffekt vid största till-
låtna värde på bromsgallerspänningen UM,
därefter minskas bromsgallerspänningen
till ett värde, som ger en antennström, lika
med hälften av den först injusterade. Det
så inställda värdet på U»3 skall utgöra vilo-
värdet vid moduleringen. Det belopp, var-
med U»3 enligt ovan sänktes, utgör det
toppvärde moduleringsspänningen måste
ha för att 100 0Xo modulering på de positiva
topparna skall kunna erhållas· Enligt det
föregående bör man emellertid icke modu-
lera med mer än 80 0Xo av detta värde.
Den högfrekventa belastningen utgöres
blir
PM= os9 Um lys (9)
där
U,« = moduleringsspänningens toppvärde
l»3 = bromsgallerlikströmmen
619
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
