Note: This work was first published in 1956, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 11. Att förstärka signaler - Förstärkning med transistorer
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 1117. Denna bild visar
hur en transistbr är upp-
byggd. (1) visar en germa-
niumskiva, som slipas och
stansas ut i små rektangulära
skivor (2). På dessa skivor
anbringas indiumbelägg (3).
Germaniumskivan erhåller
ett stödstift (4). Även till in.
diumbeläggen anbringas till-
ledningstrådar (5). Tiled-
ningstrådarna lödes på ett
stöd till yttre tilledningstrå-
dar (6) och alltsammans in-
bakas i ett hölje (7). Jfr
även fig. 1115.
en ström av laddningsbärare, som vandrar
från emittern genom det tunna basskiktet
(motsvarar styrgallret i elektronröret) och
sedan når kollektorn (motsvarar anoden i
elektronröret). Man skiljer mellan p-n-p-
transistorer och n.p.n-transistorer: i de
förra utgår det positiva laddningsbärare
från emittern, i de senare är det negativa.
Verkningssättet för en skikttransistor av
pn.p.typ är i korta drag följande (jfr fig.
1116). Mellan emitter och bas lägger-man
en strömkälla, Ve, med positiva polen mot
emittern och mellan kollektor och bas läg-
ges en annan strömkälla, Vk, med negativa
polen till kollektorn. Strömkällan V e ger
upphov till en ström av positiva laddnings-
bärare, som ger sig iväg genom basskiktet
till kollektorn. Därvid uppstår det en ström
i kollektorkretsen ’k av nästan samma
styrka som ’e’ den framdrives av kollektor-
batteriet Vk. Under sin färd från emitter
till kollektor har de positiva laddningsbä-
rarna att passera två s.k. gränsskikt, av
vilka det mellan emitter och bas har en be-
tydligt lägre resistans än det mellan bas
och kollektor.
En ökning av emitterströmmen I. genom
att en högre spänning anlägges mellan
emitter och bas medför att en större svärm
av laddningsbärare kommer att utgå från
emittern genom basskiktet till kollektorn.
En minskning av emitterströmmen genom
att en lägre spänning anlägges mellan
emitter och bas medför att en mindre svärm
av >hål» kommer att utgå från emittern
och mindre antal sådana »hål», dvs. posi-
tiva laddningsbärare når kollektorn.
Om nu emitterströmmen I. varieras kom-
mer strömmen av >hål» som utgår från
emittern och som når kollektorn att variera,
och samma strömändring kommer också
att avspeglas i kollektorströmmen, eftersom
praktiskt taget alla laddningsbärarna från
emittern når fram till kollektorn. Kollek-
torströmmen 1k styres sålunda av emitter-
strömmen I. på samma sätt som anod-
strömmen i ett elektronrör styres av galler-
spänningen. Tydligen kommer kollektor-
strömmen att variera i takt med emitter-
strömmen.
Genom att nu gränsskiktet mellan kollek-
tor och bas har högre resistans än gräns-
skiktet mellan emitter och bas, förmår kol-
lektorströmmen driva fram en starkare
ström genom ett belastningsmotstånd än
vad emitterströmmen skulle förmått. På
97
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
