Note: This work was first published in 1956, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 11. Att förstärka signaler - Förstärkning med transistorer - LF-steg med transistorer
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
detta sätt har en effektförstärkning upp-
stått.
Genom att koppla in ett belastningsmot-
stånd i kollektorkretsen Rh i fig. 1116 c får
man över detta en utgångsspänning, Vh
som varierar i takt med emitterströmmens
variationer.
LF-steg med transistorer
Fig. 1118 visar principschema för en tran-
sistorförstärkare, uppbyggd på det sätt som
antydes i fig. 1116 c. Här påför man den
växelström, i, som skall förstärkas i emit-
terkretsen. Genom att kollektorströmmen
i1, varierar i takt med i får man en växel-
spänning, v1 , över ett motstånd, R h, i kol-
lektorkretsen. v1 är den förstärkta utgångs-
spänning man erhåller i denna transistor-
förstärkare.
Nu kan man emellertid göra en liten för-
ändring i schemat, så som antydes i fig.
1119. 1 stället för att påföra den växelström,
som skall förstärkas, på emittern för man
den på basen. Basströmmen som utgör dif-
ferensen mellan de nästan lika stora emit-
ter- och kollektorströmmarna, är väsentligt
svagare än dessa. Man får i detta fall en
viss strömförstärkning, i det att kollektor-
strömmen ik blir större än den påförda
styrströmmen il,. Utgångsspänningen v1,
tar man liksom vid kopplingen i fig. 1118
ut över ett belastningsmotstånd R h i kollek-
torkretsen.
Principschemat för den nu genomgång.
r
’bR b
ve vk
Fig. 1118. Principschema för transistorförstär-
kare med belastningsmotstånd, Rb, i kollektor-
kretsen. Jfr fig. 1116 c.
na kopplingen kan ritas om så som antydes
i fig. 1120. Här har ingångskretsen som ju
är brukligt vid principschemor flyttats ut
längst t.v., under det att utgångsspänning-
en vk uttages över belastningsmotståndet
R h längst till höger.
När man arbetar med elektronrör måste
man alltid ha två olika batterier, ett batteri
för upphettningen av glödtråden och ett
anodbatteri. När det gäller transistorer
kan man klara sig med endast ett batteri
på 3-10 V polspänning. Man kan nämli-
gen ge emitterelektroden den positiva för-
spänning i förhållande till basen som den
behöver för att avge laddningsbärare genom
att anordna en spänningsdelare över kol-
lektorbatteriet V 1 . Hur detta kan arrange-
ras visas i fig. 1121, där R 1 och R2 utgör
spänningsdelaren över V1 , som gör att
basen blir negativ i förhållande till emit-
tern, vilket ju är detsamma som att emit-
tern blir positiv i förhållande till basen.
Ingångsväxeispänningen påföres här
mellan basen och emittern, utgångsspän-
ningen uttages mellan kollektorn och emit-
tern. En spärrkondensator, C, som spärrar
likspänningen men släpper fram växel-
spänningen, förhindrar här att batterispän-
ningen Yk kommer ut på utgången. Jfr
schemat med elektronrör i fig. 1108. 1 den-
na koppling är emittern gemensam jordad
pol för både in- och utspänning, koppling-
en kallas också emitterjordad koppling.
Det är denna koppling som nästan uteslu-
I R bv
ve vk
Fig. 1119. Man kan låta basströmmen, i t,, styra
emitterströmmen i och kollektorströmmen ik,
En strömförstärkning uppstår i detta fall
1e 1 tr Utgångsspänningen uttages över
belastningsmotståndet Rb.
98
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
