Note: This work was first published in 1956, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 11. Att förstärka signaler - LF-steg med transistorer
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 1121. 1 stället för att använda två batterier
som i fig. 1120 kan man nöja sig med ett bat-
teri, Vkl och ta ut erforderlig förspänning till
basen genom en spänningsdelare (111+11 2) över
kollektorbatteriet, k• Utgångsspänningen V
uttages liksom vid elektronrörsförstärkaren i
fig. 1108 via en kondensator, C.
tande kommer till användning i LF-för-
stärkare med transistorer.
1 fig. 1122 och 1123 visas ett par exem-
pel på principschemor för en transistorför-
stärkare, dels ett motståndskopplat för-
stärkarsteg (fig. 1122) och dels ett trans-
formatorkopplat steg (fig. 1123). 1 dessa
principschemor har det, jämfört med de
redan genomgångna schemorna i emitter.
kretsen, tillkommit ett motstånd, R ( , och
en kondensator, Ce, parallellkopplade.
Dessa komponenter har följande funktion:
Genom Re flyter emitterströmmen, och
därvid uppstår ett visst spänningsfall över
detta motstånd, som gör emittern mera
negativ i förhållande till chassiet (ström-
men går i riktning från batteriets pluspol
till emittern). Strömvariationerna i emit-
terströmmen utjämnas med en stor elek-
trolytkondensator C (,, så att en konstant
förspänning uppstår mellan emittern och
chassieL Nu skall ju som tidigare nämnts
basen vara någo: negativ i förhållande till
emittern, och därför påföres genom spän.
ningsdelaren 111+112 en negativ förspän-
¶
rv
Rb
Vk
Fig. 1120. Schemat i fig. 1119 kan omritas på
detta sätt. Lämplig »förström» på basen er-
hålles med ett batteri V. som gör basen nega-
tiv i förhållande till emittern.
IIRh
’b
Vk
Vin R2 Tuvut
Fig. 1122. Principschema för transistorförstär-
kare för lågfrekvens. Jämför detta schema med
motsvarande schema för elektronrörsförstärka-
re (fig. 1108). Komponentdata för transistor
0071: 111 33 kohm, R2 3,9 kohm, Rk5
kohm, 11e=470 ohm, C1 =5 uF, C2 0,01 UF,
C,= 100 oF.
TR
IIIEEI
Ve
VI
R2 fl Pefl Ce
Fig. 1123. Principschema för transistor i slut-
steg med utgångstransformator TR. Jämför det-
ta schema med motsvarande schema för elek-
tronsrörsförstärkare i fig. 1109. Komponentdata
för transistor 0072: 11 1 3,3 kolm, 112 1
kohm, 11e=67 ohm, C 1 =5 p17, Ce=100 yF,
TR = utgångstransformator.
om
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
