- Project Runeberg -  Radioteknik / 1 /
146

(1971-1973) [MARC] Author: John Schröder
Table of Contents / Innehåll | << Previous | Next >>
  Project Runeberg | Catalog | Recent Changes | Donate | Comments? |   
Note: This work was first published in 1971, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.

Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 11. Halvledardioder och halvledarkondensatorer

scanned image

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Below is the raw OCR text from the above scanned image. Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan. Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!

This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.

Anod SA

DJ
—WV [re DONG PA
N Katod N
Y /
Fig. 11.3 Några olika utförandeformer av halvledar- Fig. 11.4 Den allmänna
dioder. schemasymbolen för

halvledardioden.

Kiselskivan, som endast är någon mm? i omfång, gjuts när det gäl-
ler halvledardioder för liten effekt tillsammans med tilledningstrå-
darna in i plast. Dioder av detta slag påminner därför om små stav-
motstand. (Fig. (l3brochkie))

Halvledardioder för större effekt har ofta ett hölje av metall. (Fig.
San)

De två tilledningstrådarna till halvledardioden benämns anod- resp.
katodtilledning. Anodtilledningen går till P-området, katoden till N-
området. Se fig. 11.5 a och b.

Halvledardiodens allmänna symbol visas i fig. 11.4.

Om man på en sådan halvledardiod anlägger en spänning med po-
laritet så som visas i fig. 11.5 a, kommer negativa laddningsbärare i
N-området att attraheras mot den positivt förspända änden av halv-
ledarmaterialet, och de positiva laddningsbärarna 1 P-området kom-
mer att dras mot den sida av halvledarmaterialet där minuspolen an-
slutits. I detta läge kommer sålunda ytterligare laddningsbärare att
dras från gränsområdet mellan de två halvledarmaterialen, och det är
uppenbart att ytterligare atomer i P- och N-material i gränsskiktet nu
berövas sina fria laddningsbärare. Det betyder att spärrskiktets bredd

ökar. Samtidigt kommer spänningsbarriären i detta skikt att höjas så

146

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Project Runeberg, Fri Aug 15 22:28:13 2025 (aronsson) (download) << Previous Next >>
https://runeberg.org/radiotek/1/0154.html

Valid HTML 4.0! All our files are DRM-free