Note: This work was first published in 1971, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 11. Halvledardioder och halvledarkondensatorer
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
detta gränsskikt att få ett överskott av negativ laddning, under det att
atomerna på N-sidan 1 skiktet får ett överskott av positiv laddning.
Halvledardiodens verkningssätt är baserat på den omständigheten
att spänningsbarriärens höjd i spärrskiktet kan påverkas av en yttre
’ pålagd spänning.
Så ser halvledardioden ut inuti
Innan vi går in på halvledardiodens verkningsätt skall vise på hur
dioderna är utformade. Utgångsmaterialet är vanligtvis en N-ledande
liten kiselskiva i vilken man genom en s.k. diffusionsprocess infört
störämnen så att ett P-område ligger inbakat i N-området. (Fig. 11.2.
Jfr också fig. 11.1 a och b som visar den lilla kiselskivan i genomskär-
ning). Från N- resp. P-området är tilledningstrådar anbringade.
RN anod
lZ Anodkontakt
a UKiselskiva ri iboaned
Z
Fig. 11.2 Den principiella 2
utformningen av en halv- /Z
ledardiod av småsignaltyp.
IN
ITA
a)
RN katod
145
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
