Note: This work was first published in 1971, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 15. Att förstärka signaler
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
— om det är fråga om en NEN-transistor- ansluts tillskoltektorn och
den negativa polen till emittern. Fig. 15.5. I gränsytan mellan de olika
halvledarområdena av N- och P-typ uppträder nu spärrskikt av sam-
ma slag som 1 halvledardioder, se kap. 11. Men eftersom det i tran-
sistorn ligger omväxlande N-, P- och N-områden blir ett av spärr-
skikten förspänt i backriktningen under det att det andra blir förspänt
1 framriktningen. Man får i princip en anordning med två motstående
dioder. Fig. 15.6. Någon ström kan inte flyta från kollektor till emit-
ter eftersom dioden kollektor-bas är förspänd i spärriktningen:
Om nu basen i en NPN-transistor ansluts till den positiva polen på
en spänningskälla via ett motstånd R, (fig. 15.7), kommer basemit-
terdioden att bli ledande och en ström av hål kommer att gå från
basområdet till emittern. Samtidigt uppstår en ström av elektroner
TO-5
18
I :
fa ; Plasthölje
NN |
SH) |
Smm
Y
Ål
; TO-18
NPN PNP 8 Skärm
Fig. 15.3 Överst: Den allmänna
schemasymbolen för en bipolär
transistor. Nedtill: symbolen för
NPN- resp. PNP-transistorer.
Fig. 15.4 Exempel på olika stan-
dardhöljen för småsignaltransis-
torer: TO-5-hölje, plastinkapsling
och TO-18-hölje för småsignal-
transistorer.
191
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
