Note: This work was first published in 1971, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 15. Att förstärka signaler
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
a b/
—
Fig.15.13 Allmänna schemasym-
bolen för fälteffekttransistor med
N-kanal P-kanal a) N-kanal b) P-kanal.
(om det är en halvledarkanal av N-typ) eller från emitter till kollek-
tor (om det är en halvledarkanal av P-typ). Det intressanta är att
man kan utföra denna styrning med en styrspänning, inte med en
styrström som fallet är i den bipolära transistorn. Man har med andra
ord en högohmig styrspänningskrets. Symbolen för fälteffekttransis-
tOrn visas i fo. La.l3.
Inkopplas ett belastningsmotstånd R, i kollektorkretsen för en fält-
effekttransistor, uppstår det när kollektorströmsändringar uppträder
ett spänningsfall över R, som varierar i takt med kollektorströmmens
variationer. Dessa spänningsvariationer utgör en trogen kopia av de
variationer som föreligger i den styrande växelspänningen mellan
styre och emitter.
Fig. 15.14 Schema för förstärkarsteg med fälteffekttransistor med N-kanal.
198
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
