Note: This work was first published in 1971, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 15. Att förstärka signaler
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Ett schema för ett förstärkarsteg med en fälteffekttransistor visas i
fig. 15.14. Om vi jämför schemat med motsvarande schema för ett
förstärkarsteg med en bipolär transistor i fig. 15.10 finner vi en hel
del likheter. Vi kan lägga märke till att ett motstånd R, är inlagt i
’emitterkretsen. Spänningsfallet över detta som uppstår när det pas-
seras av strömmen genom fälteffekttransistorn orsakar att emittern
blir positiv i förhållande till styrelektroden, som via motståndet R, är
ansluten till ”jordänden” av motståndet R,. Detta ger styrelektroden
en viss negativ förspänning i förhållande till emittern, vilket är nöd-
vändigt för att fälteffekttransistorn skall få erforderlig spärrspänning
mellan styret och halvledarkanalen.
Man brukar för fälteffekttransistorer ange ”förstärkningsförmågan”
med den kollektorströmsändring AI som vid R,=0 ohm uppstår för
en viss ändring i styrspänningen AU gg mellan styre och emitter.
Förhållandet AIc/AU’gas benämns transistorns branthet och anges i
t. ex. mA/V. Ett vanligt värde på brantheten för en fälteffekttransis-
tor är 4 mA/V.
Fälteffekttransistorer förses med liknande höljen som används för
transistorer av bipolär typ.
Effekttransistorer
Effekttransistorer är alltid av bipolär typ och har i princip samma
uppbyggnad som bipolära transistorer av småsignaltyp. Kiselskivor
Fig. 15.15 Genomskärning av ef-
fekttransistor. B = baskontakt,
G = kiselskiva, K= "”kollektor- i 2 :
plåt” direkt förbunden med kol- G £ SEE
lektorn, I = isolerande genom-
föringar för emitter (E) och bas |
(B). E B
AN
199
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
