Note: This work was first published in 1971, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 17. Bygg in förstärkning i lokalmottagaren
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
AA EE
17. Bygg in förstärkning
I lokalmottagaren
genom att förstärka antingen ”högfrekven-
sen” före detektorn eller ”lågfrekvensen” ef-
ter detektorn.
I detta kapitel skall vi visa hur man bygger in förstärkning i den
lokalmottagare, med halvledardiod, som vi beskrev i kap. 13.
Vi skall utföra denna utbyggnad i två etapper. I den första skall
vi bygga ett högfrekvenssteg, ett ”HF-steg”, före halvledardioden och
se vad detta åstadkommer i fråga om ökad känslighet hos mottagaren.
I en andra etapp skall vi bygga ett lågfrekvensförstärkarsteg, ett ”LF-
steg”, som ger ytterligare förstärkning och som gör det lättare att
avlyssna programmet i hörtelefonen.
Vad som menas med högfrekvens- respektive lågfrekvenssteg har vi
redan genomgått i kap. 15.
Till denna utbyggnad har vi redan tagit hänsyn när vi byggde
lokalmottagaren med halvledardiod. Det finns sålunda plats både för
ett HF-steg och ett LF-steg på samma universalkretskort som an-
vändes för lokalmottagaren.
Vi förstärker ”högfrekvensen”
Principschemat för ett enkelt HF-steg med en fälteffekttransistor visas
i fig. 17.1. HF-steget är inkopplat mellan den avstämda kretsen med
HF-transformatorn L1+L2 och halvledardioden. Signalen som er-
hålls över den avstämda kretsen påförs mellan styre och source
(emitter) på en fälteffekttransistor. (Se kap. 15.) Eftersom fälteffekt-
transistorn är högohmig på ingången, behöver vi inte utföra någon
219
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
