Note: This work was first published in 1971, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 18. Integrerade kretsar
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
vid låg signalnivå, dvs. när effektutvecklingen i kretsarna är obetydlig,
ges mycket små dimensioner, och man kan t. ex. i halvledarskivor av
några tiondels mm tjocklek och några mm? yta integrera in 100-tals
komponenter. |
I själva verket kräver sådana integrerade kretsar inte väsentligt
större halvledarvolym än en ordinär transistor. Däremot krävs det
ofta för dessa kretsar ett större antal tilledningstrådar för arbets-
spänningar m. m.
Möjligheten att köpa mer eller mindre ”färdiglagade” kretsar i stäl-
let för lösa komponenter förenklar givetvis konstruktionsarbetet för
den som vill bygga radioteknisk apparatur. En hel del dimensione-
ringsarbete bortfaller, eftersom ju de integrerade kretsarna utgör ett
slags halvfabrikat för elektronisk apparatur, som omedelbart fungerar
på önskat sätt, när man ansluter erforderliga arbetsspänningar.
Det finns en mängd olika typer av integrerade kretsar; de typer
som är intressanta 1 radiotekniska sammanhang är de s.k. linjära
integrerade kretsarna. Dessa karakteriseras av att de uppvisar ett
linjärt samband mellan den signal som påförs kretsens inklämmor och
den signal som insignalen ger upphov till över kretsens utgångskläm-
mor: Oftast är det i dessa kretsar inbyggd stor förstärkning så att
utsignalen är en väsentligt förstorad kopia av insignalen. I integrerade
linjära kretsar har man ofta en ”inbyggd” förstärkning av upp till
100 000 ggr.
De integrerade kretsarna byggs upp med tillämpande av en teknik
som mycket påminner om den som används vid tillverkning av tran-
sistorer (se kap. 15). Skillnaden är att man genom olika diffusions-
processer samtidigt 1 en kiselskiva tillverkar ett antal transistorer,
dioder, halvledarkondensatorer m. m. Se fig. 18.1 och 18.2. Därefter
anordnas ett antal förbindningsledningar av aluminium som förbin-
der de olika dioderna, halvledarmotstånden, halvledarkondensato-
rerna och transistorerna i den integrerade kretsen. Fig. 18.1. Kisel-
skivan med sitt ledningsmönster monteras därefter på en platta, som
230
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
