Note: This work was first published in 1971, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 18. Integrerade kretsar
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 18.1 Integrerade halvledarkretsar byggs upp på en kiselskiva i vilken
man genom ett antal s. k. diffusionsprocesser erhåller ett antal transistorer,
dioder, halvledarkondensatorer och resistorer. De olika komponenterna
isoleras inbördes genom spärrskikt i kristallen som förspännes i backrikt-
ningen. Interna förbindningar mellan de integrerade komponenterna som
inte kan utföras i själva kiselskivan anordnas med förångade metallfilmsled-
ningar på kiselytan (ljusa band på skivan).
1 sin tur placeras 1 ett hölje. Slutligen förses kretsen med yttre an-
slutningstrådar, som via tunna guldledningar svetsas fast i de olika
punkter som skall anslutas till yttre kretsar. Fig. 18.3.
De integrerade kretsarna monteras ofta in i höljen som påminner
om dem som används för transistorer. Skillnaden är egentligen endast
att man har flera tilledningstrådar, 4, 6, 8 eller 12 i stället för tre
231
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
