Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - Sidor ...
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Elektroteknik
L]
fk*R,a Ml
o-,-1-ht—’TMfr—r—1-
Fig. 10 a och b. Lågfrekvenstransformator med ekvivalent krets.
Fig’. 11. Högfrekvensförstärkare
med triod.
Fig. 12 a och b. Induktiv antennkoppling.
ger oss fig. 10 b. Man ser genast, att ohmskt
motstånd kan försummas vid sidan av
Frekvenskurvan för kretsen i fig. 10 b omfattar tre väsentliga
områden, där man för varje gång kan vidtaga
betydande förenklingar. Vid mycket låga frekvenser
spelar sålunda läckinduktans och kapacitet C2 ännu
ingen roll. Därför får man helt enkelt omräknad se-
kundärspänning ■ V2 efter spänningsdelning mel-
lan Ri och Lr Yid medelhöga frekvenser är oL,
ännu oväsentlig, men parallellresonans uppstår mel-
M 2
lan och ~ ■ C2, och resonansmotståndet stiger i
Li
normala fall till ett värde, som är mycket högre än
R Detta oaktat kan förstärkningen icke bli större
än transformatorns omsättningstal. Ehuru ohmskt
motstånd bestämmer resonansmotståndets storlek,
är det icke utslagsgivande. Vid mycket hög frekvens
slutligen spelar L1 ej mera någon roll, men
läckinduktans och kondensator
ge serieresonans, och
ovanför den kritiska
frekvensen faller
förstärkningen till slut
mot noll. Ohmskt
motstånd är också här av
föga betydelse
gentemot Ri- Hela
förstär-karkoppliugen låter sig
tydligen på detta sätt
enkelt överblickas.
Fig. 13 a. Rörgenerator.
■. På detta sätt få vi fig. 11. Man ser genast, att
x2
både R1 och läckinduktans oL inte spela någon roll
vid sidan av Rt. Den ursprungliga kopplingen har
alltså reducerats till en svängningskrets, som matas
från en spänningskälla med ohmskt motstånd. Som
funktion av k genomlöper förstärkningen ett
maximum, när anpassning råder, på ett sätt, som vi här ej
skola uppehålla oss vid.
4. Induktiv antennkoppling vid mottagare.
Fig. 12 a visar en antenn med kapaciteten Ca och
ohmska motståndet Ra, som inducerar över en
induktiv koppling på en mottagares ingångskrets. Man vill
nu ha reda på, vilken spänning V2 man får på det
första gallret. Vi använda i detta fall ekvivalensen i
fig. 6 och flytta som i föregående fall den ideella
transformatorn åt vänster i kretsen. På så sätt få vi
fig. 12 b, i vilken en svängningskrets på sätt och vis
matas från en spänningskälla, vilkens inre impe-
5£a
I
Fig. 13 b.
Ekvivalens till
röret.
Fig. 13 c.
Rörgeneratorns ekvivalenta
schema.
3. Högfrekvensförstärkaresteg med triod.
Kopplingsschemat är detsamma som i fig. 10 a,
blott att de numeriska värdena äro andra, och att
transformatorn i allmänhet ej är försedd med
järnkärna. Som ekvivalent schema välja vi nu fig. 6,
i vilken figur vi förskjuta den ideella transformatorn
åt vänster. Detta har till följd, att alla impedanser,
som förut lågo till vänster men nu komma till höger
om den ideella transformatorn, multipliceras med
dans sammansättes av ohmskt motstånd, induktans
och kapacitet i serie. Vid resonans mellan induktiv
och kapacitiv komposant är "tilledningens" inre
motstånd (Ra -f- Ät), och sekundärkretsen kan ej
längre avstämmas. Alltså måste kopplingen utföras
så, att för alla ifrågakommande frekvenser antingen
induktiv eller kapacitiv reaktans väger över i
"tillledningen". I praktiken kommer än det ena, än det
andra fallet att råda. Man kan då stryka den mindre
3 juli 1937
109
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
