Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - H. 44. 1 december 1953 - Transistorn, av Torkel Wallmark
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
940
TEKNISK TIDSKRIFT
Fig. 9. Karakteristiska kurvor för elektronrör,
spets-transistor, skikttransistor och idealisk förstärkare.
ningsgrad, medan spetstransistorn ger 35 % och
elektronröret 30 %. En ideal förstärkare skulle
också kunna användas vid så små effekter, som
bruset medger, och även i detta avseende är
skikttransistorn nära ideal i det att vissa typer
funktionerar vid en ineffekt av ca 10 fiW,
medan spetstransistorn behöver 10 mW.
Elektron-« rörets minsta effektbehov kan givetvis inte
understiga glödeffekten, dvs. i bästa fall 0,1 W.
Förstärkare med elektronrör kan kopplas på
i princip tre olika sätt, nämligen med jordad
katod, jordat galler (katodföljare) eller jordad
anod, och på samma sätt kan transistorn
kopplas med jordad injektor, jordad bas eller jordad
kollektor, varvid de tre kopplingarna ger
förstärkare med egenskaper som framgår av fig. 10.
En nackdel med transistorn är att dess in- och
utimpedanser är så olika att man för maximal
förstärkning är tvungen att använda transfor-
Fig. 10. Förstärkarkopplingar och deras egenskaper.
matorer för att anpassa de olika stegen i en
förstärkare till varandra. I koppling med jordad
injektor blir emellertid förstärkningen även utan
anpassning avsevärd (ca 30 dB).
I elektronrören utgörs strömmen av negativa
laddningars rörelser; elektronrör med positiva
laddningar kan icke förverkligas, då lämplig
jonkälla saknas. Transistorer däremot kan lika
lätt göras för negativa laddningar (n-p-n), som
för positiva laddningar (p-n-p), varvid
prestanda blir ungefär desamma för de bägge
alternativen. Detta medför en del unika möjligheter ur
kopplingssynpunkt, fig. 11.
För fysiken har transistorforskningen
huvudsakligen betytt att man fått experimentella
möjligheter, som på kort tid bragt den tidigare något
diffusa halvledarfysiken på en fast kvantitativ
bas. Sålunda var det först i och med transistorn
som man lyckades att med i och för sig kända
metoder — zonsmältning och enkristalldragning
ur smälta — framställa egenhalvledare, på vilka
tidigare existerande teorier kunde prövas. Vidare
utvecklades mätmetoder, som fastställde
egenskaperna hos elektroner och hål, acceptorer och
donatorer, vilka härigenom steg fram ur relativ
oåtkomlighet och fick en påtaglig fysikalisk och
teknisk innebörd. Fortfarande återstår dock
här en del viktiga problem att lösa, vilka något
berörts här. De icke linjära egenskaperna hos
halvledare och halvledarkomponenter har fått en
logisk och enkel teori. Likriktningen har visat sig
följa en halvt bortglömd teori av B Davydov och
"break down" hos spärrskiktet förklaras i vissa
fall genom en tidigare mycket omtvistad teori av
G Zener. Betydande framsteg har gjorts i teorin
för halvledares yta framför allt genom J
Bar-deen. Genom att analysen av germaniets
egenskaper hunnit relativt långt, har man fått en
god grundval för syntes av nya halvledande ma-
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
